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FairchildSemiconductorCorpor在i在HGTG30N60一个4DRev.B
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图示 17. 电容 vs 集电级 至 发射级
电压
图示 18. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
vs 门 至 发射级 电压
图示 19. 二极管 向前 电流 vs 向前
电压 漏出
图示 20. 恢复 时间 vs 向前 电流
图示 21. 恢复 时间 vs 比率 的 改变 的
电流
图示 22. 贮存 承担 vs 比率 的 改变 的
电流
典型 效能 曲线
除非 否则 指定
(持续)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
c, 电容 (nf)
C
RES
0 5 10 15 20 25
0
2
6
8
10
4
频率 = 1mhz
C
OES
C
IES
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
9
1.7
12
1.8
2.0
1.9
11 13 14 15 16
2.1
2.3
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
= 60a
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s, t
J
= 25
o
C
I
CE
= 30a
I
CE
= 15a
2.2
10
0.5 1.0 1.5 2.5
I
EC
, 向前 电流 (一个)
V
EC
, 向前 电压 (v)
02.0
0
10
15
20
25
25
o
C
125
o
C
5
35
30
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%,
60
40
20
0
t
rr
, 恢复 时间 (ns)
I
EC
, 向前 电流 (一个)
03020
70
50
30
10
10 15 25
80
100
25
o
c t
rr
25
o
c t
一个
25
o
c t
b
125
o
c t
b
125
o
c t
一个
dI
EC
/dt = 200a/
µ
s
125
o
c t
rr
5
90
300 400 500 700 800
t
rr
, 恢复 时间 (ns)
dI
EC
/dt, 比率 的 改变 的 电流 (一个/
µ
s)
200 600
10
0
20
30
40
50
60
900 1000
125
o
c t
一个
125
o
c t
b
25
o
c t
一个
25
o
c t
b
I
EC
= 30a, v
CE
= 390v
1000
600
200
0
Q
rr
, 反转 恢复 承担 (nc)
dI
EC
/dt, 比率 的 改变 的 电流 (一个/
µ
s)
1000500
1200
800
400
200 300 400 900
1400
600 700 800
125
o
c, i
EC
= 30a
125
o
c, i
EC
= 15a
25
o
c, i
EC
= 15a
25
o
c, i
EC
= 30a
V
CE
= 390v
HGTG30N60A4D
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