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资料编号:771481
 
资料名称:2SJ504
 
文件大小: 51K
   
说明
 
介绍:
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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2SJ504
5
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0
–4 –8 –12 –16 –20
0.2
0.16
0.12
0.08
0.04
–40 0 40 80 120 160
0
–10 v
GS
v = –4 v
1
0.5
0.05
0.02
0.01
–1 –2
–10 –20
–100
–50
–5 一个
0.2
0.1
脉冲波 测试
脉冲波 测试
–0.1 –1 –10 –100
–0.3
–3 –30
100
10
0.1
1
0.3
3
30
25
°
C
tc = –25
°
C
75
°
C
DS
v = –10 v
脉冲波 测试
–2 一个
i = –20 一个
D
–10 一个
–5
–5 一个
i = –20 一个
D
–5, –10 一个
–20 一个
–10 一个
流 至 源 饱和 电压 vs.
门 至 源 电压
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 流 电流
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
vs. 温度
向前 转移 admittance vs.
流 电流
–10 v
v = –4 v
GS
脉冲波 测试
v (v)
ds(在)
流 至 源 饱和 电压
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
流 至 源 在 状态 阻抗
r ( )
ds(在)
情况 温度 tc (
°
c)
r ( )
ds(在)
静态的 流 至 源 在 状态 阻抗
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance |y | (s)
fs
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