2002 将 15 6
飞利浦 半导体 产品 规格
Inverting 施密特-triggers 74hc1g14; 74hct1g14
家族 74hc1g14
在 推荐 运行 情况; 电压 是 关联 至 地 (ground=0v).
便条
1. 所有 典型 值 是 量过的 在 t
amb
=25
°
c.
家族 74hct1g
在 推荐 运行 情况; 电压 是 关联 至 地 (ground=0v).
便条
1. 所有 典型 值 是 量过的 在 t
amb
=25
°
c.
标识 参数
测试 情况 T
amb
(
°
c)
单位
波形 V
CC
(v)
−
40 至 +85
−
40 至 +125
最小值 典型值
(1)
最大值 最小值 最大值
V
T+
积极的-going 门槛 看 figs 5 和 6 2.0 0.7 1.09 1.5 0.7 1.5 V
4.5 1.7 2.36 3.15 1.7 3.15 V
6.0 2.1 3.12 4.2 2.1 4.2 V
V
T
−
负的-going 门槛 看 figs 5 和 6 2.0 0.3 0.60 0.9 0.3 0.9 V
4.5 0.9 1.53 2.0 0.9 2.0 V
6.0 1.2 2.08 2.6 1.2 2.6 V
V
H
hysteresis (v
T+
−
V
T
−
) 看 figs 5 和 6 2.0 0.2 0.48 1.0 0.2 1.0 V
4.5 0.4 0.83 1.4 0.4 1.4 V
6.0 0.6 1.04 1.6 0.6 1.6 V
标识 参数
测试 情况 T
amb
(
°
c)
单位
其它 V
CC
(v)
−
40 至 +85
−
40 至 +125
最小值 典型值
(1)
最大值 最小值 最大值
V
OH
高-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
;
I
O
=
−
20
µ
一个
4.5 4.4 4.5
−
4.4
−
V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
;
I
O
=
−
2.0 毫安
4.5 4.13 4.32
−
3.7
−
V
V
OL
低-水平的 输出
电压
V
I
=V
IH
或者 V
IL
;
I
O
=20
µ
一个
4.5
−
0 0.1
−
0.1 V
V
I
=V
IH
或者 V
IL
;
I
O
= 2.0 毫安
4.5
−
0.15 0.33
−
0.4 V
I
LI
输入 泄漏 电流 V
I
=V
CC
或者 地 5.5
−−
1.0
−
1.0
µ
一个
I
CC
安静的 供应
电流
V
I
=V
CC
或者 地;
I
O
=0
5.5
−−
10.0
−
20.0
µ
一个
∆
I
CC
额外的 供应
电流 每 输入
V
I
=V
CC
−
2.1 v;
I
O
=0
4.5 至 5.5
−−
500
−
850
µ
一个
: 点此下载
