tlc254, tlc254a, tlc254b, tlc254y, tlc25l4, tlc25l4a, tlc25l4b
tlc25l4y, tlc25m4, tlc25m4a, tlc25m4b, tlc25m4y
LinCMOS
四方形 运算的 放大器
slos003f – 六月 1983 – 修订 8月 1994
1
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
D
一个-后缀 版本 提供 5-mv v
IO
D
b-后缀 版本 提供 2-mv v
IO
D
宽 范围 的 供应 电压
1.4 v 至 16 v
D
真实 单独的-供应 运作
D
一般模式 输入 电压 包含 这
负的 栏杆
D
低 噪音 . . . 25 nv/
√
Hz典型值 在 f = 1 khz
(高-偏差 版本)
描述
这 tlc254, tlc254a, tlc254b, tlc25l4,
tlc254l4a, tlc254l4b, tlc25m4, tlc25m4a
和 tl25m4b 是 低-费用, 低-电源 四方形
运算的 放大器 设计 至 运作 和
单独的 或者 双 供应. 这些 设备 utilize 这
德州 器械 硅 门 lincmos
处理, 给 它们 稳固的 输入-补偿 电压 那 是 有 在 选择 grades 的 2, 5, 或者 10 mv
最大, 非常 高 输入 阻抗, 和 极其 低 输入 补偿 和 偏差 电流. 因为 这 输入
一般模式 范围 extends 至 这 负的 栏杆 和 这 电源 消耗量 是 极其 低, 这个 序列 是
ideally suited 为 电池-powered 或者 活力-conserving 产品. 这 序列 提供 运作 向下 至 一个
1.4-v 供应, 是 稳固的 在 统一体 增益, 和 有 极好的 噪音 特性.
这些 设备 有 内部的 静电的-释放 (静电释放) 保护 电路 那 阻止 catastrophic failures
在 电压 向上 至 2000 v 作 测试 下面 mil-标准-883c, 方法 3015.1. 不管怎样, 小心 应当 是 exercised
在 处理 这些 设备 作 暴露 至 静电释放 将 结果 在 降级 的 这 设备 参数 效能.
因为 的 这 极其 高 输入 阻抗 和 低 输入 偏差 和 补偿 电流, 产品 为 这些
设备 包含 许多 areas 那 有 先前 被 限制 至 bifet 和 nfet 产品 类型. 任何 电路
使用 高-阻抗 elements 和 需要 小 补偿 errors 是 一个 好的 candidate 为 费用-有效的 使用 的
这些 设备. 许多 特性 有关联的 和 双极 技术 是 有 和 lincmos 运算的
放大器 没有 这 电源 penalties 的 传统的 双极 设备.
有 选项
V
IO
最大值
packaged 设备
碎片 表格
T
一个
V
IO
最大值
在25
°
C
小 外形
(d)
塑料 插件
(n)
TSSOP
(pw)
碎片表格
(y)
10 mv TLC254CD TLC254CN TLC254CPW TLC254Y
5 mv TLC254ACD TLC254ACN — —
2 mv TLC254BCD TLC254BCN — —
10 mv TLC25L4CD TLC25L4CN TLC25L4CPW TLC25L4Y
0
°
c 至 70
°
C
5 mv TLC25L4ACD TLC25L4ACN — —
2 mv TLC25L2BCD TLC25L4BCN — —
10 mv TLC25M4CD TLC25M4CN TLC25M4CPW TLC25M4Y
5 mv TLC25M4ACD TLC25M4ACN — —
2 mv TLC25M4BCD TLC25M4BCN — —
这 d 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 这 后缀 r 至 这 设备 类型 (e.g., tlc254cdr). 碎片
是 测试 在 25
°
c.
版权
1994, 德州 器械 组成公司的
生产 数据 信息 是 电流 作 的 发行 日期.
产品 遵从 至 规格 每 这 条款 的 德州 器械
标准 保用单. 生产 处理 做 不 必然地 包含
测试 的 所有 参数.
lincmos 是 一个 商标 的 德州 器械 组成公司的.
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
1OUT
1IN–
1IN+
V
DD
2IN+
2IN–
2OUT
4OUT
4IN–
4IN+
V
DD –
/地
3IN+
2IN–
3OUT
d, n, 或者 pw 包装
(顶 视图)
标识 (各自 放大器)
+
–
输出
在 +
在 –
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