TLE4271-2G_集成电路资料查询网

TLE 4271-2
数据 薄板 rev. 2.4 16 2001-04-04
电流 消耗量
I
q
相比 输入 电压
V
I
inhibit 电流
I
INH
相比 inhibit 电压
V
INH
漏出 电压
V
dr
相比
输出 电流
I
Q
输出 电压
V
Q
相比 inhibit 电压
V
INH
AED01934
0 10 20 30 40 V50
0
40
80
120
毫安
100
60
20
I
V
I
q
20
Ω
L
R
= 10
Ω
50
Ω
R
L
=
0
0
1
6
3
2
INH
AED01944
4
V
2
4
6
8
10
12
V
Ι
= 13.5 v
= 25  c
j
T
inh, 高
Ι
Ι
inh, 在
Ι
inh, 止
5
INH
V
µ
一个
Ι
400
200
300
100
2000 400
0
800
600
700
500
Dr
V
mV
毫安
600 1000
Ι
Q
AED02755
T
= 125   c
j
T
= 25   c
j
3
3
21
0
0
1
2
6
5
4
V
5
V
4
6
V
INH
= 25  c
= 13.5 v
Ι
j
V
T
AED01945
Q
V

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TLE 4271-2 数据薄板 rev. 2.4 16 2001-04-04 电流消耗量 I q 相比输入电压 V I inhibit 电流 I INH 相比 inhibit 电压 V INH 漏出电压 V dr 相比输出电流 I Q 输出电压 V Q 相比 inhibit 电压 V INH AED01934 0 10 20 30 40 V50 0 40 80 120 毫安 100 60 20 I V I q 20 Ω L R = 10 Ω 50 Ω R L = 0 0 1 6 3 2 INH AED01944 4 V 2 4 6 8 10 12 V Ι = 13.5 v = 25 c j T inh, 高 Ι Ι inh, 在 Ι inh, 止 5 INH V µ 一个 Ι 400 200 300 100 2000 400 0 800 600 700 500 Dr V mV 毫安 600 1000 Ι Q AED02755 T = 125 c j T = 25 c j 3 3 21 0 0 1 2 6 5 4 V 5 V 4 6 V INH = 25 c = 13.5 v Ι j V T AED01945 Q V

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