绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
最大 接合面 温度
陶瓷的 +175˚C
V
EE
管脚 潜在的 至 地面 管脚 −7.0v 至 +0.5v
输入 电压 (直流) V
EE
至 +0.5v
输出 电流 (直流 输出 高) −50 毫安
静电释放
≥
2000V
推荐 运行
情况
情况 温度
军队 −55˚C 至 +125˚C
供应 电压 (v
EE
) −5.7v 至 −4.2v
便条 1:
绝对 最大 比率 是 值 在之外 这个 这 设备 将
是 损坏 或者 有 它的 有用的 生命 impaired. 函数的 运作 下面 这些
情况 是 不 暗指.
便条 2:
静电释放 测试 遵从 至 mil-标准-883, 方法 3015.
军队 版本
直流 电的 特性
V
EE
=
−4.2v 至 −5.7v, V
CC
=
V
CCA
=
地, T
C
=
−55˚C 至 +125˚C
标识 参数 最小值 最大值 单位 T
C
情况 注释
V
OH
输出 高 −1025 −870 mV 0˚C 至 +125˚C V
在
=
V
IH (最大值)
加载 和 (注释 3, 4, 5)
电压 −1085 −870 mV −55˚C 或者 V
IL (最小值)
25
Ω
至 −2.0v
V
OHC
输出 高 −1035 mV 0˚C 至 +125˚C V
在
=
V
IH (最小值)
或者 V
IL (最大值)
加载 和
25
Ω
至 −2.0v
(注释 3, 4, 5)
电压 −1085 mV −55˚C
V
OLC
输出 低 −1610 mV 0˚C 至 +125˚C
电压 −1555 MV −55˚C
V
OLZ
截-止 低 −1950 mV 0˚C 至 +125˚C V
在
=
V
IH (最小值)
加载 和 (注释 3, 4, 5)
电压 −1850 −55˚C 或者 V
IL (最大值)
25
Ω
至 −2.0v
V
IH
输入 高 −1165 −870 mV −55˚C 至 +125˚C 有保证的 高 信号 (注释 3, 4, 5, 6)
电压 为 所有 输入
V
IL
输入 低 −1830 −1475 mV −55˚C 至 +125˚C 有保证的 低 信号 (注释 3, 4, 5, 6)
电压 为 所有 输入
I
IL
输入 低
电流
0.50 µA −55˚C 至 +125˚C V
EE
=
4.2v, V
在
=
V
IL (最小值)
(注释 3, 4, 5)
I
IH
输入 高 240 µA 0˚C 至 +125˚C V
EE
=
−5.7v, V
在
=
V
IH (最大值)
(注释 3, 4, 5)
电流 340 µA −55˚C
I
EE
电源 供应 输入 打开
电流 −155 −53 毫安 −55˚C 至 +125˚C V
EE
=
−4.2v 至 −5.7v (注释 3, 4, 5)
便条 3:
F100K 300 序列 cold 温度 测试 是 执行 用 温度 soaking (至 保证 接合面 温度 相等 −55˚c), 然后 测试 立即
没有 准许 为 这 接合面 温度 至 stabilize 预定的 至 热温 消耗 之后 电源-向上. 这个 提供 “cold start” 规格 这个 能 是 考虑 一个 worst 情况
情况 在 cold 温度.
便条 4:
Screen 测试 100
%
在 各自 设备 在 −55˚c, +25˚c, 和 +125˚c, Subgroups 1, 2, 3, 7, 和 8.
便条 5:
样本 测试 (方法 5005, 表格 i) 在 各自 制造的 lot 在 −55˚c, +25˚c, 和 +125˚c, Subgroups a1, 2, 3, 7, 和 8.
便条 6:
有保证的 用 应用 指定 输入 情况 和 测试 V
OH
/v
OL
.
www.国家的.com3
: 点此下载
