mc34164, mc33164, ncv33164
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图示 15. 低 电压 微处理器 重置 和 额外的 hysteresis
(mc3x164−5 显示)
电源
供应
1.2 v
ref
微处理器
电路
R
L
地
重置
比较器hysteresis 能 是 增加 和 这 增加 的 电阻 r
H
. 这 hysteresis 等式 有 被 simplified 和 做 不 账户 为 这 改变 的 输入 电流
I
在
作 v
在
crosses 这 比较器 门槛 (图示 8). 一个 增加 的 这 更小的 门槛
V
th(更小的)
将 是 observed 预定的 至 i
在
这个 是 典型地 10
一个 在 4.3 v. 这
equations 是 精确 至
±
10% 和 r
H
较少 比 1.0 k
和 r
L
在 4.3 k
和 43 k
.
V
H
≈
4.3 r
H
R
H
MC3X164−5
I
在
V
在
测试 数据
V
H
(mv)
V
th
(mv)
R
H
(
)
R
L
(k
)
60
103
123
160
155
199
280
262
306
357
421
530
0
1.0
1.0
1.0
2.2
2.2
2.2
4.7
4.7
4.7
4.7
4.7
0
100
100
100
220
220
220
470
470
470
470
470
43
10
6.8
4.3
10
6.8
4.3
10
8.2
6.8
5.6
4.3
R
L
+ 0.06
V
th(更小的)
≈
10 r
H
x 10
−6
在哪里: r
H
≤
1.0 k
43 k
≥
R
L
≥
4.3 k
图示 16. 电压 监控 图示 17. solar powered 电池 charger
图示 18. 场效应晶体管 低 电压 门 驱动 保护 使用 这 mc3x164−5
1.2 v
ref
输入
270
重置
地
电源
供应
1.2 v
ref
输入
1.0 k
地
1.2 v
ref
输入
地
Solar
Cells
R
L
MTP3055EL
MC3X164−5
V
CC
4.3v
overheating 的这逻辑 水平的 电源 场效应晶体管 预定的 至 insufficient
门电压 能 是 阻止 和 这 在之上 电路. 当 这
输入 信号 是 在下 这 4.3 v 门槛 的 这 mc3x164−5, 它的
输出 grounds 这 门 的 这 l
2
场效应晶体管.
重置
重置
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