28C16A
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1996 微芯 技术 公司
2.0 设备 运作
这 微芯 技术 公司 28c16a 有 四 基本
模式 的 operation—read, 备用物品, 写 inhibit, 和
字节 write—as 概述 在 这 下列的 表格.
2.1 读 模式
这 28c16a 有 二 控制 功能, 两个都 的 这个
必须 是 logically satisfied 在 顺序 至 获得 数据 在 这
输出. 碎片 使能 (ce
) 是 这 电源 控制 和
应当 是 使用 为 设备 选择. 输出 使能
(oe
) 是 这 输出 控制 和 是 使用 至 门 数据 至
这 输出 管脚 独立 的 设备 选择.
假设 那 地址 是 稳固的, 地址 进入
时间 (t
acc)
是 equal 至 这 延迟 从 ce 至 输出 (t
CE
).
数据 是 有 在 这 输出 t
OE
之后 这 下落 边缘
的 oe
, 假设 那 ce 有 被 低 和 地址
有 被 稳固的 为 在 least t
ACC
-t
OE
.
2.2 备用物品 模式
这 28c16a 是 放置 在 这 备用物品 模式 用 应用
一个 高 信号 至 这 ce
输入. 当 在 这 备用物品
模式, 这 输出 是 在 一个 高 阻抗 状态, inde-
pendent 的 这 oe
输入.
2.3 数据 保护
在 顺序 至 确保 数据 integrity, 特别 在 criti-
cal 电源-向上 和 电源-向下 transitions, 这 下列的
增强 数据 保护 电路 是 组成公司的:
第一, 一个 内部的 v
CC
发现 (3.3 伏特 典型) 将 inhibit
这 initiation 的 非-易变的 程序编制 运作
当 v
CC
是 较少 比 这 v
CC
发现 电路 trip.
第二, 那里 是 一个 我们
filtering 电路 那 阻止 我们
脉冲 的 较少 比 10 ns 持续时间 从 初始的 一个 写
循环.
第三, 支持 我们
或者 ce 高 或者 oe 低, inhibits 一个 写
循环 在 电源-在 和 电源-止 (v
CC
).
运作
模式
CE
OE 我们 i/o
读 L L H D
输出
备用物品 H X X 高 z
写 inhibit H X X 高 z
写 inhibit X L X 高 z
写 inhibit X X H 高 z
字节 写 L H L D
在
字节 clear 自动 在之前 各自 “write”
x = 任何 ttl 水平的.
2.4 写 模式
这 28c16a 有 一个 写 循环 类似的 至 那 的 一个 静态的
内存. 这 写 循环 是 完全地 自-安排时间 和 ini-
tiated 用 一个 低 going 脉冲波 在 这 我们
管脚. 在 这 下降-
ing 边缘 的 我们
, 这 地址 信息 是 latched. 在
rising 边缘, 这 数据 和 这 控制 管脚 (ce
和 oe)
是 latched.
2.5 数据 polling
这 28c16a 特性 数据 polling 至 信号 这 com-
pletion 的 一个 字节 写 循环. 在 一个 写 循环, 一个
attempted 读 的 这 last 字节 写 结果 在 这
数据 complement 的 i/o7 (i/o0 至 i/o6 是 indetermin-
能). 之后 completion 的 这 写 循环, 真实 数据 是
有. 数据 polling 准许 一个 简单的 读/对比
运作 至 决定 这 状态 的 这 碎片 eliminat-
ing 这 需要 为 外部 硬件.
2.6 电子的 signature 为 设备
Identification
一个 extra 行 的 32 字节 的 可擦可编程只读存储器 记忆 是 avail-
能 至 这 用户 为 设备 identification. 用 raising a9
至 12v
±
0.5v 和 使用 地址 locations 7eo 至 7ff,
这 额外的 字节 能 是 写 至 或者 读 从 在 这
一样 manner 作 这 regular 记忆 排列.
2.7 碎片 clear
所有 数据 将 是 cleared 至 1's 在 一个 碎片 clear 循环 用
raising oe
至 12 伏特 和 bringing 这 我们 和 ce
低. 这个 程序 clears 所有 数据, 除了 为 这 extra
行.
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