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资料编号:791600
 
资料名称:2SB1252
 
文件大小: 75K
   
说明
 
介绍:
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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电源 晶体管 2SB1252
P
C
—Ta I
C
—V
CE
V
ce(sat)
—I
C
V
是(sat)
—I
C
h
FE
—I
C
C
ob
—V
CB
t
, t
stg
, t
f
— i
C
范围 的 safe 运作 (aso)
0 16040 12080 14020 10060
0
60
50
40
30
20
10
(1) t
C
=Ta
(2) 和 一个 100
×
100
×
2mm
al 热温 下沉
(3) 和 一个 50
×
50
×
2mm
al 热温 下沉
(4) 没有 热温 下沉
(p
C
=2w)
(1)
(2)
(3)
(4)
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
W
)
0 –12–10–8–2 –6–4
0
–6
–5
–4
–3
–2
–1
T
C
=25˚C
– 0.1ma
– 0.2ma
– 0.3ma
– 0.4ma
I
B
=– 0.5ma
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
– 0.1
–100
–10
–1
– 0.3
–3
–30
I
C
/i
B
=1000
25˚C
–25˚C
T
C
=100˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
– 0.1
–100
–10
–1
– 0.3
–3
–30
I
C
/i
B
=1000
T
C
=–25˚C
25˚C
100˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
根基 至 发射级 饱和 电压 v
是(sat)
(
V
)
– 0.01
– 0.1 –1 –10
– 0.03
– 0.3 –3
10
30
100
300
1000
3000
10000
30000
100000
V
CE
=5V
T
C
=100˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
–1 –3 –10 –30 –100
1
1000
100
10
3
30
300
I
E
=0
f=1MHz
T
C
=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)
0–8–2 –6–4
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
t
stg
t
t
f
搏动 t
w
=1ms
职责 循环=1%
I
C
/i
B
=1000
(–i
B1
=I
B2
)
V
CC
=–50V
T
C
=25˚C
集电级 电流 i
C
(
一个
)
切换 时间 t
,t
stg
,t
f
(
µ
s
)
–1 –10 –100 –1000–3 –30 –300
– 0.01
– 0.03
– 0.1
– 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
t=1ms
I
CP
I
C
10ms
非 repetitive 脉冲波
T
C
=25˚C
直流
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
一个
)
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