数据 薄板
D14471EJ1V0DS00
2
2SK3386
电的 特性 (t
一个
= 25 °c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= 10 v, i
D
= 17 一个 17 21 m
Ω
R
ds(在)2
V
GS
= 4.0 v, i
D
= 17 一个 25 36 m
Ω
门 至 源 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安 1.5 2.0 2.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 17 一个 10 19 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±20 v, v
DS
= 0 v ±10
µ
一个
输入 电容 C
iss
V
DS
= 10 v 2100 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v 340 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz 170 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
I
D
= 17 一个 32 ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= 10 v 310 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 30 v 98 ns
下降 时间 t
f
R
G
= 10
Ω
100 ns
总的 门 承担 Q
G
I
D
= 34 一个 39 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
DD
= 48 v 7.0 nC
门 至 流 承担 Q
GD
V
gs(在)
= 10 v 12 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 34 一个, v
GS
= 0 v 0.87 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 34 一个, v
GS
= 0 v 46 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
di/dt = 100 一个/
µ
s84nC
测试 电路 1 avalanche 能力
R
G
= 25
Ω
50
Ω
pg.
L
V
DD
V
GS
= 20
→
0 v
BV
DSS
I
作
I
D
V
DS
开始 t
ch
V
DD
d.u.t.
测试 电路 3 门 承担
测试 电路 2 切换 时间
pg.
R
G
0
V
GS
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1
s
µ
职责 循环
≤
1 %
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
10 %
90 %
V
GS
(在)
10 %
0
I
D
90 %
90 %
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10 %
τ
I
D
0
t
在
t
止
pg.
50
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
= 2 毫安
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