绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
V
CC
电压 −0.3v 至 +6V
重置 电压
−0.3v 至 +6V
输出 电流 (重置)
10 毫安
运行 温度 范围
LP3470 −20˚C 至 +85˚C
LP3470I −40˚C 至 +85˚C
接合面 温度 (t
Jmax
) 125˚C
电源 消耗 (t
一个
= 25˚c) (便条
2)
300 mW
θ
JA
(便条 2) 280˚c/w
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接, 5 秒) 260˚C
静电释放 比率 (便条 3) 2 kV
电的 特性
限制 在 标准 typeface 是 为 T
J
= 25˚c, 和 限制 在
黑体字
类型 应用 在 这 全部 运行 温度 范围, 除非
否则 指定. V
CC
= +2.4v 至 +5.0v 除非 否则 指出.
标识 参数 情况 典型值
(便条 4)
最小值
(便条 5)
最大值
(便条 5)
单位
V
CC
运行 电压 范围
0.5 5.5
V
I
CC
V
CC
供应 电流 V
CC
= 4.5v 16
30
µA
V
RTH
重置 门槛 电压
(便条 6)
LP3470 V
RTH
0.99 V
RTH
0.99 V
RTH
1.01 V
RTH
1.01 V
RTH
V
LP3470I V
RTH
0.99 V
RTH
0.985 V
RTH
1.01 V
RTH
1.015 V
RTH
V
HYST
Hysteresis 电压 (便条 7) 35
15 65
mV
t
PD
V
CC
至 重置 延迟 V
CC
下落 在 1 mv/µs 100
300
µs
t
RP
重置 Timeout 时期 (便条
8)
C
1
=1nF 2
1.0 3.5
ms
V
OL
重置 输出 电压 低 V
CC
= 0.5v; I
OL
=30µA
0.1
V
V
CC
= 1.0v; I
OL
= 100 µA
0.1
V
CC
=V
RTH
−100 mv; I
OL
=4
毫安
0.4
R
1
外部 拉-向上 电阻 20 0.68 68 k
Ω
I
LEAK
重置 输出 泄漏
电流
0.15 1
µA
6
便条 1:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 电的 规格 做 不 应用 当 运行 这 设备
在之外 它的 运行 情况.
便条 2:
这 最大 电源 消耗 必须 是 derated 在 提升 温度 和 是 dictated 用 T
Jmax
(最大 接合面 温度),
θ
JA
(接合面 至 am-
bient 热的 阻抗), 和 T
一个
(包围的 温度). 这 最大 容许的 电源 消耗 在 任何 温度 是 P
Dmax
=(t
Jmax
−T
一个
)/
θ
JA
或者 这 号码
给 在 这 绝对 最大 比率, whichever 是 更小的.
便条 3:
这 人 身体 模型 是 一个 100 pF 电容 释放 通过 一个 1.5 k
Ω
电阻 在 各自 管脚.
便条 4:
典型 号码 是 在 25˚C 和 代表 这 大多数 likely 参数 norm.
便条 5:
最小值 和 最大值 限制 在 标准 typeface 是 100
%
生产 测试 在 25˚c. 最小值 和 最大值 限制 在 黑体字 是 有保证的 通过 correlation 使用 sta-
tistical 质量 控制 (sqc) 方法. 这 限制 是 使用 至 计算 National’s 平均 优于 质量 水平的 (aoql).
便条 6:
工厂-修整 重置 门槛 是 有 在 50 mV increments 从 2.4v 至 5.0v. 联系 your 国家的 半导体 代表.
便条 7:
V
HYST
affects 这 relation 在 V
CC
和 重置 作 显示 在 这 定时 图解.
便条 8:
t
RP
是 可编程序的 用 varying 这 值 的 这 外部 电容 (c
1
) 连接 至 管脚 srt. 这 等式 是: t
RP
=2000xC
1
(c
1
在 µF 和 t
RP
在 ms).
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