MCM69C432
4
motorola 快 sram
绝对 最大 比率
(看 便条 1)
比率 标识 值 单位
供应 电压 (看 便条 2) V
DD
4.6 V
电压 相关的 至 v
SS
(看 便条 2) V
在
– 0.5 至 v
DD
+ 0.5 v V
输出 电流 每 管脚 I
输出
±
20 毫安
包装 电源 消耗 (看 便条 3) P
D
— W
温度 下面 偏差 (看 便条 3) T
偏差
– 10 至 85
°
C
运行 温度 T
一个
0 至 70
°
C
存储 温度 T
stg
– 55 至 125
°
C
注释:
1. 永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率 是
超过. 函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 oper-
ating 情况. 暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 扩展
时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
2. 所有 电压 是 关联 至 v
SS
.
3. 电源 消耗 能力 将 是 依赖 在之上 包装 特性 和 使用
环境. 看 包装 热的 特性.
直流 运行 情况 和 特性
(v
DD
= 3.3 v
±
5%, t
J
= 20 至 120
°
c, 除非 否则 指出)
推荐 运行 情况
(电压 关联 至 v
SS
= 0 v)
参数
标识 最小值 Typ 最大值 单位
电源 供应 电压 V
DD
3.1 3.3 3.5 V
运行 温度 (接合面) T
J
20 — 120
°
C
输入 低 电压 V
IL
– 0.5* 0 0.8 V
输入 高 电压 V
IH
2.2 3 5.5 V
*V
IL
(最小值) = – 3.0 v 交流 (脉冲波 宽度
v
20 ns).
直流 特性 和 供应 电流
参数 标识 最小值 最大值 单位
起作用的 电源 供应 电流 @ 20
°
c t
J
I
DD1
— TBD 毫安
起作用的 电源 供应 电流 @ 120
°
c t
J
I
DD2
— TBD 毫安
输入 泄漏 电流 (0 v
v
V
在
v
V
DD
) I
lkg
(i) — TBD
µ
一个
输出 泄漏 电流 (0 v
v
V
在
v
V
DD
) I
lkg
(o) — TBD
µ
一个
输出 低 电压 (i
OL
= 8 毫安) V
OL
— 0.4 V
输出 高 电压 (i
OH
= – 4 毫安) V
OH
2.4 — V
包装 热的 特性
比率 标识 最大值 单位
热的 阻抗 接合面 至 包围的 (200 lfpm, 4 layer 板) (看 便条 2) R
θ
JA
TBD
°
c/w
热的 阻抗 接合面 至 板 (bottom) (看 便条 3) R
θ
JB
TBD
°
c/w
热的 阻抗 接合面 至 情况 (顶) (看 便条 4) R
θ
JC
TBD
°
c/w
注释:
1. 内存 接合面 温度 是 一个 函数 的 on–chip 电源 消耗, 包装 热的 阻抗, 挂载 站点 温度, 和
挂载 站点 热的 阻抗.
2. 每 semi g38–87.
3. indicates 这 平均 热的 阻抗 在 这 消逝 和 这 挂载 表面.
4. indicates 这 平均 热的 阻抗 在 这 消逝 和 这 情况 顶 表面. 量过的 通过 这 cold 加设护板 方法 (mil spec–883
方法 1012.1).
这个 设备 包含 电路系统 至 保护 这
输入 相反 损坏 预定的 至 高 静态的 volt-
ages 或者 electric 地方; 不管怎样, 它 是 advised
那 正常的 预防措施 是 带去 至 避免
应用 的 任何 电压 高等级的 比 maxi-
mum 评估 电压 至 这个 high–impedance
电路.
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