2004 Sep 15 2
飞利浦 半导体 产品 规格
单独的 2-输入 或者 门 74LVC1G32
特性
•
宽 供应 电压 范围 从 1.65 v 至 5.5 V
•
高 噪音 免除
•
遵守 和 电子元件工业联合会 标准:
– jesd8-7 (1.65 v 至 1.95 v)
– jesd8-5 (2.3 v 至 2.7 v)
– jesd8b/jesd36 (2.7 v 至 3.6 v).
•±
24 毫安 输出 驱动 (v
CC
= 3.0 v)
•
cmos 低 电源 消耗量
•
获得-向上 效能 超过 250 毫安
•
直接 接口 和 ttl 水平
•
输入 接受 电压 向上 至 5 V
•
多样的 包装 选项
•
静电释放 保护:
– hbm eia/jesd22-a114-b 超过 2000 V
– mm eia/jesd22-a115-一个 超过 200 v.
•
指定 从
−
40
°
C 至 +85
°
C 和
−
40
°
C 至 +125
°
c.
描述
这 74lvc1g32 是 一个 高-效能, 低-电源,
低-电压, si-门 cmos 设备, 更好的 至 大多数
先进的 cmos 兼容 ttl families.
输入 能 是 驱动 从 也 3.3 V 或者 5 V 设备. 这个
特性 准许 这 使用 的 这些 设备 在 一个 mixed
3.3 V 和 5 v 环境.
施密特-触发 action 在 所有 输入 制造 这 电路
tolerant 为 slower 输入 上升 和 下降 时间.
这个 设备 是 全部地 指定 为 partial 电源-向下
产品 使用 I
止
. 这 I
止
电路系统 使不能运转 这 输出,
阻止 这 损害的 backflow 电流 通过 这
设备 当 它 是 powered 向下.
这 74lvc1g32 提供 这 单独的 2-输入 或者 函数.
快 涉及 数据
地 = 0 v; t
amb
=25
°
c; t
r
=t
f
≤
2.5 ns.
注释
1. C
PD
是 使用 至 决定 这 动态 电源 消耗 (p
D
在
µ
w).
P
D
=C
PD
×
V
CC
2
×
f
i
×
N+
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) 在哪里:
f
i
= 输入 频率 在 mhz;
f
o
= 输出 频率 在 mhz;
C
L
= 输出 加载 电容 在 pf;
V
CC
= 供应 电压 在 伏特;
N = 总的 切换 输出;
Σ
(c
L
×
V
CC
2
×
f
o
) = 总 的 这 输出.
2. 这 情况 是 v
I
= 地 至 V
CC
.
标识 参数 情况 典型 单位
t
PHL
/t
PLH
传播 延迟
输入 一个, B 至 输出 Y
V
CC
= 1.8 v; c
L
= 30 pf; r
L
=1k
Ω
3.1 ns
V
CC
= 2.5 v; c
L
= 30 pf; r
L
= 500
Ω
2.1 ns
V
CC
= 2.7 v; c
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
2.5 ns
V
CC
= 3.3 v; c
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
2.1 ns
V
CC
= 5.0 v; c
L
= 50 pf; r
L
= 500
Ω
1.7 ns
C
I
输入 电容 5 pF
C
PD
电源 消耗 电容 每 缓存区 V
CC
= 3.3 v; 注释 1 和 2 16 pF
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