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资料编号:799451
 
资料名称:76132P
 
文件大小: 287K
   
说明
 
介绍:
75A, 30V, 0.011 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
 
 


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图示 7. 转移 特性 图示 8. 饱和 特性
图示 9. 阻抗 vs
电压 和 流 电流
图示 10. NORMALIZED
阻抗 vs 接合面 温度
图示 11. NORMALIZED 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 12. NORMALIZED 损坏
电压 vs 接合面 温度
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
0 23451
0
20
60
100
I
d,
流 电流 (一个)
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
150
o
C
-40
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
120
80
25
o
C
40
V
GS
= 4.5v
V
GS
= 4v
01234
0
20
40
80
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 5v
V
GS
= 10v
V
GS
= 3v
120
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 3.5v
100
60
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
T
C
= 25
o
C
10
12
14
18
6
4
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
26108
I
D
= 75a
I
D
= 25a
r
ds(在)
, 流 至 源
在 阻抗 (m
)
8
16
I
D
= 51a
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.6
0.8
1.0
1.4
-60 0 60 120 180
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
1.2
1.6
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 10v, i
D
= 75a
-60 0 60 120 180
0.6
0.8
1.2
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
门槛 电压
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
1.0
1.2
1.1
1.0
0.9
-60 0 60 120 180
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= 250
µ
一个
huf76132p3, huf76132s3s
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