adg658/adg659
–5–
绝对 最大 比率
1
(t
一个
= 25°c, 除非 否则 指出.)
V
DD
至 v
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13 v
V
DD
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v 至 +13 v
V
SS
至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+0.3 v 至 –6.5 v
相似物 输入
2
. . . . . . . . . . . . . . V
SS
– 0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
数字的 输入
2
. . . . . . . . . . . . 地 – 0.3 v 至 v
DD
+ 0.3 v
或者 10 毫安, whichever occurs first
顶峰 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40 毫安
(搏动 在 1 ms, 10% 职责 循环 最大值)
持续的 电流, s 或者 d . . . . . . . . . . . . . . . . . 20 毫安
运行 温度范围
automotive (y 版本) . . . . . . . . . . . . –40°c 至 +125°c
工业的 (b 版本) . . . . . . . . . . . . . . –40°c 至 +85°c
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . –65°c 至 +150°c
接合面 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°c
管脚 配置
TSSOP
ADG659
至p 视图
(不 至 规模)
ADG658
至p 视图
(不 至 规模)
1
2
3
4
5
6
7
8
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
S3
S2
S1
S4
A0
A1
A2
V
DD
S3A
S2A
DA
S1A
S4A
A0
A1
S1B
S3B
DB
S4B
S2B
EN
V
SS
地
S5
S7
D
S8
S6
EN
V
SS
地
LFCSP
12
11
10
9
1
2
3
4
16 15 14 13
5 6 7 8
D
S8
S6
EN
V
SS
地
A2
A1
S2
S1
S4
A0
S7
S5
V
DD
S3
ADG659
顶视图
(不 至 规模)
12
11
10
9
1
2
3
4
16 15 14 13
5 6 7 8
DB
S4B
S2B
EN
V
SS
地
A1
A0
S2A
DA
S1A
S4A
S3B
S1B
V
DD
S3A
ADG658
顶视图
(不 至 规模)
订货 手册
模型 温度 范围 包装 描述 包装 选项
ADG658YRU –40°c 至 +125°c 薄的 shrink 小 外形 包装 (tssop) ru-16
ADG658YCP –40°c 至 +85°c 含铅的 框架 碎片 规模 包装 (lfcsp) cp-16
ADG659YRU –40°c 至 +125°c 薄的 shrink 小 外形 包装 (tssop) ru-16
ADG659YCP –40°c 至 +85°c 含铅的 框架 碎片 规模 包装 (lfcsp) cp-16
JA
热的 阻抗, 16-含铅的 tssop . . . . . 150.4°c/w
JA
热的 阻抗 (4-layer 板),
16-含铅的 lfcsp . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70°c/w
含铅的 温度,焊接
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 215°c
infrared (15 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .220°C
静电释放 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5 kv
注释
1
压力 在之上 那些 列表 下面 绝对 最大 比率 将 导致 perma-
nent 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的; 函数的 运作 的
这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 列表 在 这 运算的
sections 的 这个 specification 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大
比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性. 仅有的 一个
绝对 最大 比率 将 是 应用 在 任何 一个 时间.
2
overvoltages 在 一个
X
,
EN
,s, 或者 d 将 是 clamped 用 内部的 二极管. 电流
应当 是 限制 至 这 最大 比率 给.
Ta blei.adg658 真实 表格
a2 a1 a0
EN
转变 情况
x x x 1 毫无
0 0 0 0 1
0 0 1 0 2
0 1 0 0 3
0 1 1 0 4
1 0 0 0 5
1 0 1 0 6
1 1 0 0 7
1 1 1 0 8
x = don’t 小心
Ta ble ii. adg659 真实 表格
a1 a0
EN
在 转变 一双
x x 1 毫无
0 0 0 1
0 1 0 2
1 0 0 3
1 1 0 4
x = don’t 小心
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感性itive 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily 交流cumulate
在 这 human 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现. 虽然 这 adg658/
adg659 特性 proprietary静电释放 protection 电路系统, 永久的 损坏将 出现 在 devices subjected
至 高 energy 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放 前cautions are recommended 至 避免
每为mance degradation 或者 loss 的 符合实际.
rev. 0
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