rev. 0
–2–
adg819/adg820–specifications
1
(v
DD
= 5 v
10%, 地 = 0 v.)
–40
c 至 –40
c 至
参数 25
C +85
C +125
C
2
单位 测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围 0 v 至 v
DD
V
在 阻抗 (r
在
) 0.5
Ω
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= 100 毫安;
0.6 0.7 0.8
Ω
最大值 测试 电路 1
在 阻抗 相一致 在
途径 (
∆
R
在
)0.06
Ω
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= 100 毫安
0.08 0.1 0.12
Ω
最大值
在 阻抗 flatness (r
flat(在)
)
0.1 Ω
典型值 V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= 100 毫安
0.17 0.2 0.25
Ω
最大值
泄漏 电流 V
DD
= 5.5 v
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.01 na 典型值 V
S
= 4.5 v/1 v, v
D
= 1 v/4.5 v;
±
0.25
±
3
±
10 na 最大值 测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在)
±
0.01 na 典型值 V
S
= v
D
= 1 v, 或者 v
S
= v
D
= 4.5 v;
±
0.25
±
3
±
25 na 最大值 测试 电路 3
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.0 v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.8 v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.005
µ
一个 典型值 V
在
= v
INL
或者 v
INH
±
0.1
µ
一个 最大值
C
在,
数字的 输入 电容 5 pf 典型值
动态 特性
3
ADG819
t
在
35 ns 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 35 pf,
45 50 55 ns 最大值 V
S
= 3 v; 测试 电路 4
t
止
10 ns 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 35 pf,
16 18 21 ns 最大值 V
S
= 3 v; 测试 电路 4
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
BBM
5 ns 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 35 pf,
1 ns 最小值 V
S1
= v
S2
= 3 v; 测试 电路 5
ADG820
t
在
10 ns 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 35 pf,
18 20 22 ns 最大值 V
S
= 3 v; 测试 电路 4
t
止
26 ns 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 35 pf,
40 45 50 ns 最大值 V
S
= 3 v; 测试 电路 4
制造-在之前-破裂 时间 延迟, t
MBB
15 ns 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 35 pf,
1 ns 最小值 V
S
= 0 v; 测试 电路 6
承担 injection 20 pc 典型值 V
S
= 2.5 v, r
S
= 0
Ω,
C
L
= 1 nf;
测试 电路 7
止 分开 –71 db 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf, f = 100 khz;
测试 电路 8
频道-至-频道 串扰 –72 db 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf, f = 100 khz;
测试 电路 10
带宽 –3 db 17 mhz 典型值 R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf; 测试 电路 9
C
S
(止) 80 pf 典型值 f = 1 mhz
C
d,
C
S
(在) 300 pf 典型值 f = 1 mhz
电源 (所需的)东西 V
DD
= 5.5 v
数字的 输入 = 0 v 或者 5.5 v
I
DD
0.001
µ
一个 典型值
1.0 2.0
µ
一个 最大值
注释
1
温度 范围 是 作 跟随: –40
°
c 至 +125
°
c.
2
在 阻抗 参数 测试 和 i
S
= 10 毫安.
3
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
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