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资料编号:80756
 
资料名称:IS62C256-70TI
 
文件大小: 38K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS62C256
整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
3
sr072-1e
05/12/99
ISSI
®
运行 范围
范围 包围的 温度 V
CC
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 5V
±
10%
工业的 –40
°
c 至 +85
°
C 5V
±
10%
电容
(1,2)
标识 参数 情况 最大值 单位
C
输入 电容 V
= 0v 8 pF
C
输出
输出 电容 V
输出
= 0v 10 pF
注释:
1. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
2. 测试 情况: t
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz, vcc = 5.0v.
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-45 ns -70 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
I
CC
1
vcc 运行 V
CC
= 最大值.,
CS
= v
IL
com. 60 60 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = 0 ind. 70 70
I
CC
2
vcc 动态 运行 V
CC
= 最大值.,
CS
= v
IL
com. 70 65 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = f
最大值
ind. 80 75
I
SB
1
ttl 备用物品 电流 V
CC
= 最大值., com. 5 5 毫安
(ttl 输入) V
= v
IH
或者 v
IL
ind. 10 10
CS
V
IH
, f = 0
I
SB
2
cmos 备用物品 V
CC
= 最大值., com. 0.5 0.5 毫安
电流 (cmos 输入)
CS
V
CC
– 0.2v, ind. 1.0 1.0
V
V
CC
– 0.2v, 或者
V
0.2v, f = 0
便条:
1. 在 f = f
最大值
, 地址 和 数据 输入 是 cycling 在 这 最大 频率, f = 0 意思 非 输入 线条 改变.
直流 电的 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 V
CC
= 最小值., i
OH
= –1.0 毫安 2.4 V
V
OL
输出 低 电压 V
CC
= 最小值., i
OL
= 2.1 毫安 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+ 0.5 V
V
IL
输入 低 电压
(1)
–0.3 0.8 V
I
LI
输入 泄漏
V
V
CC
com. –2 2
µ
一个
ind. –10 10
I
LO
输出 泄漏
V
输出
V
CC
, com. –2 2
µ
一个
输出 无能 ind. –10 10
便条:
1. V
IL
= –3.0v 为 脉冲波 宽度 较少 比 10 ns.
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