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资料编号:80761
 
资料名称:IS62LV256-70T
 
文件大小: 40.95K
   
说明
 
介绍:
32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IS62LV256
ISSI
®
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
7
rev. k
12/11/02
写 循环 切换 特性
(1,2,3)
(在 运行 范围)
-45 ns -70 ns
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
WC
写 循环 时间 45 70 ns
t
SCE
CE
至 写 终止 35 60 ns
t
AW
地址 建制 时间 至 写 终止 25 60 ns
t
HA
地址 支撑 从 写 终止 0 0 ns
t
SA
地址 建制 时间 0 0 ns
t
PWE
(4)
我们
脉冲波 宽度 25 55 ns
t
SD
数据 建制 至 写 终止 20 30 ns
t
HD
数据 支撑 从 写 终止 0 0 ns
注释:
1. 测试 情况 假设 信号 转变 时间 的 5 ns 或者 较少, 定时 涉及 水平 的 1.5v, 输入 脉冲波 水平 的 0 至 3.0v 和
输出 加载 指定 在 图示 1a.
2. 测试 和 这 加载 在 图示 1b. 转变 是 量过的 ±500 mv 从 稳步的-状态 电压. 不 100% 测试.
3. 这 内部的 写 时间 是 定义 用 这 overlap 的
CE
低 和
我们
低. 所有 信号 必须 是 在 有效的 states 至 initiate 一个 写, 但是
任何 一个 能 go inactive 至 terminate 这 写. 这 数据 输入 建制 和 支撑 定时 是 关联 至 这 rising 或者 下落 边缘 的
这 信号 那 terminates 这 写.
4. 测试 和
OE
高.
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