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资料编号:808470
 
资料名称:AS7C4096-12JC
 
文件大小: 246K
   
说明
 
介绍:
5V/3.3V 512K X8 CMOS SRAM
 
 


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®
AS7C4096
AS7C34096
1/13/05; v.1.9
alliance 半导体
p. 4 的 9
关键 至 切换 波形
读 波形 1 (地址 控制)
3,6,7,9
读 波形 2 (ce
, oe控制)
3,6,8,9
读 循环 (在 这 运行 范围)
3,9
参数
Symbo
l
–10 –12 –15 –20
单位 注释最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
读 循环 时间 t
RC
10–12–15–20–ns
地址 进入 时间 t
AA
–10–12–15–20ns3
碎片 使能 (ce
) 进入 时间 t
ACE
–10–12–15–20ns3
输出 使能 (oe
) 进入 时间 t
OE
–5–6–7–8ns
输出 支撑 从 地址 改变 t
OH
3–3–3–3–ns5
CE
低 至 输出 在 低 z t
CLZ
3–3–0–0–ns4, 5
CE
高 至 输出 在 高 z t
CHZ
–5–6–7–9ns4, 5
OE
低 至 输出 在 低 z t
OLZ
0–0–0–0–ns4, 5
OE
高 至 输出 在 高 z t
OHZ
–5–6–7–9ns4, 5
电源 向上 时间 t
PU
0–0–0–0–ns4, 5
电源 向下 时间 t
PD
–10–12–15–20ns4, 5
未阐明的/don’t carefalling 输入rising 输入
地址
D
输出
数据 有效的
t
OH
t
AA
t
RC
电流
供应
OE
D
输出
t
OE
t
OLZ
t
ACE
t
CHZ
t
CLZ
t
PU
t
PD
I
CC
I
SB
50% 50%
t
OHZ
数据 有效的
t
RC1
CE
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