®
AS7C4098
AS7C34098
1/13/05;
v.1.9
alliance 半导体
p. 2 的 10
函数的 描述
这 as7c4098 和 as7c34098 是 高-performance cmos 4,194,304-位 静态的 随机的 进入 记忆 (sram) 设备
有组织的 作 262,144 words × 16 位. they 是 设计 为 记忆产品 在哪里 快 数据 进入, 低 电源, 和
简单的 接合 是 desired.
equal 地址 进入 和 循环 时间 (t
AA
, t
RC
, t
WC
) 的 10/12/15/20 ns 和输出 使能 进入 时间 (t
OE
) 的 5/6/7/8 ns 是
完美的 为 高-效能 产品. 这 碎片 使能 输入 ce
准许 容易 记忆 expansion 和 多样的-bank
记忆 系统.
当 ce
是 高 这 设备 enters 备用物品 模式. 这 标准 as7c4098/as7c34098 是 有保证的 不 至 超过 110/
72mw 电源 消耗量 在 cmos standby 模式. 一个 写 循环 是 accomplished 用 asserting 写 使能 (我们
) 和 碎片
使能 (ce
). 数据 在 这 输入 管脚 i/o1–i/o16 是 写 在 这 rising 边缘 的 我们(写 循环 1) 或者 ce(写 循环 2). 至
避免 总线 contention, 外部 设备 应当 驱动 i/o 管脚 在ly 之后 输出 有 被 无能 和 输出 使能 (oe
) 或者
写 使能 (我们
).
一个 读 循环 是 accomplished 用asserting 输出 使能 (oe
) 和 碎片 使能 (ce), 和 写 使能 (我们) 高. 这 碎片
驱动 i/o 管脚 和 这 数据 文字 关联 用 这 输入 地址ess. 当 也 碎片 使能 或者输出 使能 是 inactive, 或者
写 使能 是 起作用的, 输出 drivers 停留 在 高-阻抗 模式.
这些 设备 提供 多样的 中心 power 和 地面 管脚, 和 独立的 字节 使能 控制, 准许 单独的 字节 至
是 写 和 读. lb
控制 这 更小的 位, i/o1–i/o8, 和 ub控制 这 高等级的 位, i/o9–i/o16.
所有 碎片 输入 和 输出 是 ttl- 和 cmos-兼容, 和运作 是 从 也 一个 单独的 5v (as7c4098) 或者 3.3v
(as7c34098) 供应. 两个都 设备 是 有 在这 电子元件工业联合会 标准 400-ml, 44-管脚 soj 和 tsop 2包装.
便条: 压力 更好 th一个 那些 列表 下面
绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏至 这 设备. 这个 是 一个 压力 比率 仅有的 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些或者 任何 其它 情况外部 那些 indicated 在 这 运算的 sections 的 这个规格 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 maximum 比率 情况 为 扩展时期 将 影响 可靠性.
绝对 最大 比率
参数 设备 标识 最小值 最大值 单位
电压 在 v
CC
相关的 至 地
AS7C4098 V
t1
–0.50 +7.0 V
AS7C34098 V
t1
–0.50 +5.0 V
电压 在 任何 管脚 相关的 至 地 V
t2
–0.50 V
CC
+0.50 V
电源 消耗 P
D
–1.5w
存储 温度 T
stg
–65 +150
°
C
包围的 温度 和 v
CC
应用 T
偏差
–55 +125
°
C
直流 电流 在 输出 (低) I
输出
–±20mA
真实 表格
CE 我们 OE LB UB i/o1–i/o8 i/o9–i/o16 模式
HXXXX 高 z 高 zstandby (i
SB
, i
SB1
)
LHHXX
高 z 高 z 输出 使不能运转 (i
CC
)
LXXHH
LHL
LH D
输出
高 z
读 (i
CC
)HL 高 z D
输出
LL D
输出
D
输出
LLX
LH D
在
高 z
写 (i
CC
)HL 高 z D
在
LL D
在
D
在
关键: x = don’t 小心, l = 低, h = high.
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