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资料编号:809716
 
资料名称:BC857BL3
 
文件大小: 136K
   
说明
 
介绍:
PNP Silicon AF Transistors
 
 


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jan-30-2004
4
bc857bl3, bc858bl3
直流 电流 增益
h
FE
=
ƒ
(
I
C
)
V
CE
= 5 v
10 10 10 10
EHP00382
h
毫安
-2
-1
12
FE
3
10
10
2
0
10
5
5
10
1
0
10
5
555
100
25
-50
C
Ι
C
C
C
集电级-发射级 饱和 电压
I
C
=
ƒ
(
V
CEsat
),
h
FE
= 20
10
0
EHP00380
V
CEsat
10
毫安
10
10
2
1
0
-1
5
5
V
0.3 0.5
100
25
-50
0.1 0.2 0.4
C
Ι
C
C
C
根基-发射级 饱和 电压
I
C
=
ƒ
(
V
BEsat
),
h
FE
= 20
0
10
EHP00379
BEsat
V
0.6 V 1.2
-1
10
0
10
1
2
10
5
5
Ι
C
毫安
0.2 0.4 0.8
C
25
C
100
C
-50
C
集电级 截止 电流
I
CBO
=
ƒ
(
T
一个
)
V
CBO
= 30 v
10
0 50 100 150
EHP00381
T
一个
5
10
10
nA
10
Ι
CB0
5
5
5
10
10
4
3
2
1
0
-1
最大值
典型值
C
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