4-megabit
(256k x 16)
3-volt 仅有的
cmos flash
记忆
AT49BV4096
AT49LV4096
初步的
特性
•
低 电压 运作
- 2.7v 读
- 5v 程序/擦掉
•
快 读 进入 时间 - 120 ns
•
内部的 擦掉/程序 控制
•
sector architecture
- 一个 8k words (16k 字节) 激励 块 和 程序编制 lockout
- 二 8k words (16k 字节) 参数 blocks
- 一个 232k words (464k 字节) 主要的 记忆 排列 块
•
快 sector 擦掉 时间 - 10 秒
•
文字-用-文字 程序编制 - 10
µ
s/文字
•
硬件 数据 保护
•
数据 polling 为 终止 的 程序 发现
•
低 电源 消耗
- 25 毫安 起作用的 电流
- 50
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
典型 10,000 写 循环
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a17 地址
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
我们 写 使能
重置 重置
V
PP
程序/擦掉
电源 供应
i/o0 - i/o15
数据
输入/输出
NC 非 连接
这 at49bv4096 和 at49lv4096 是 3-volt, 4-megabit flash memories 有组织的
作 256k words 的 16 位 各自. 制造的 和 atmel’s 先进的 nonvolatile
cmos 技术, 这 设备 提供 进入 时间 至 120 ns 和 电源 消耗 的
just 67 mw 在 2.7v 读. 当 deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比
50
µ
一个.
至 准许 为 简单的 在-系统 reprogrammability, 这 at49bv4096/lv4096 做 不
需要 高 输入 电压 为 程序编制. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的
至 读 从 一个 非易失存储器; 它 有 标准
ce,oe, 和 我们 输入 至 避免 总线
描述
(持续)
at49bv4096/lv4096
A13
A12
A10
A11
A8
NC
A9
NC
NC
NC
重置
VPP
我们
NC
1
2
4
3
6
5
10
9
7
8
14
13
11
12
i/o3
i/o11
i/o10
i/o2
i/o12
i/o5
i/o4
VCC
i/o6
i/o13
i/o7
i/o14
i/o15
地
41
40
38
39
36
35
37
44
42
43
46
45
47
48
33
34
i/o1
i/o9
15
16
A17
A7
A6
20
19 i/o8
i/o0
30
29
31
3217
18
A5
A15
A14
NC
A16
21
22
23
24
25
26
27
28
A4
A3
A2
A1
地
OE
CE
A0
tsop 顶 视图
类型 1
重置
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
NC
地
i/o15
i/o7
i/o14
i/o6
i/o1327
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
我们
i/o5
i/o1225
26
NC
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
地
i/o0
i/o8
i/o1
i/o9
i/o2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
VPP
i/o10
i/o3
19
20
21
22
i/o4
VCC23
24
CE
OE
i/o11
A0
soic (sop)
0874a–5/97
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