CY7C1021CV33
文档 #: 38-05132 rev. *c 页 3 的 12
最大 比率
(在之上 这个 这 有用的 生命 将 是 impaired. 为 用户 手册-
线条, 不 测试.)
存储 温度 .................................
–
65
°
c 至 +150
°
C
包围的 温度 和
电源 应用.............................................
–
55
°
c 至 +125
°
C
供应 电压 在 v
CC
至 相关的 地
[1]
....
–
0.5v 至 +4.6v
直流 电压 应用 至 输出
在 高-z 状态
[1]
......................................
–
0.5v 至 v
CC
+0.5v
直流 输入 电压
[1]
...................................
–
0.5v 至 v
CC
+0.5v
电流 在 输出 (低)......................................... 20 毫安
静态的 释放 电压............................................ >2001v
(每 mil-标准-883, 方法 3015)
获得-向上 电流...................................................... >200 毫安
运行 范围
范围 包围的 温度 V
CC
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 3.3v
±
10%
工业的
–
40
°
c 至 +85
°
C 3.3v
±
10%
电的 特性
在 这 运行 范围
参数 描述
测试
情况
1021cv33-8 1021cv33-10
1021cv33-12 1021cv33-15
单位最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
V
OH
输出 高
电压
V
CC
= 最小值.,
I
OH
=
–
4.0 毫安
2.4 2.4
2.4 2.4 V
V
OL
输出 低
电压
V
CC
= 最小值.,
I
OL
= 8.0 毫安
0.4 0.4
0.4 0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
CC
+ 0.3
2.0 V
CC
+ 0.3
2.0 V
CC
+ 0.3
2.0 V
CC
+ 0.3
V
V
IL
输入 低
电压
[1]
–
0.3 0.8
−
0.3 0.8
–
0.3 0.8
–
0.3 0.8 V
I
IX
输入 加载 电流 地 <V
I
< v
CC
−
1
+
1
−
1+1
–
1 +1
–
1 +1
µ
一个
I
OZ
输出 泄漏
电流
地 <V
I
<V
CC
,
输出 无能
−
1
+
1
−
1+1
–
1 +1
–
1 +1
µ
一个
I
OS
输出 短的 电路
电流
[2]
V
CC
= 最大值.,
V
输出
= 地
-300
−
300
–
300
–
300 毫安
I
CC
V
CC
运行
供应 电流
V
CC
= 最大值.,
I
输出
= 0 毫安,
f = f
最大值
= 1/t
RC
95 90 85 80 毫安
I
SB1
自动 ce
电源-向下
电流
—
TTL
输入
最大值 v
CC
, ce> v
IH
V
在
> v
IH
或者
V
在
< v
IL
,
f = f
最大值
15 15 15 15 毫安
I
SB2
自动 ce
电源-向下
电流
—
CMOS
输入
最大值 v
CC
,
CE
>V
CC
–
0.3v, v
在
>
V
CC
–
0.3v,
或者 v
在
<0.3v, f = 0
55
5 5 毫安
电容
[3]
参数 描述 测试 情况 最大值 单位
C
在
输入 电容 T
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz,
V
CC
= 3.3v
8 pF
C
输出
输出 电容 8 pF
注释:
1. V
IL
(最小值.) =
–
2.0v 为 脉冲波 durations 的 较少 比 20 ns.
2. 不 更多 比 一个 输出 应当 是 短接 在 一个 时间. 持续时间 的 这 短的 电路 应当 不 超过 30 秒.
3. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.