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资料编号:818402
 
资料名称:CY7C185-25SC
 
文件大小: 197K
   
说明
 
介绍:
8K x 8 Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
CY7C185
文档 #: 38-05043 rev. *a 页 6 的 11
注释:
15. 这 最小 写 循环 时间 为 写 循环 #3 (我们
控制, oe低) 是 这 总 的 t
HZWE
和 t
SD
.
16. 如果 ce
1
变得 高 或者 ce
2
变得 低 同时发生地 和 我们高, 这 输出 仍然是 在 一个 高-阻抗 状态.
切换 波形
(持续)
t
WC
t
AW
t
SA
t
HA
t
HD
t
SD
t
SCE1
我们
数据 i/o
地址
CE
1
数据
有效的
t
SCE2
CE
2
rite 循环 非. 2 (ce控制)
[13,14,15]
t
HD
t
SD
t
LZWE
t
SA
t
HA
t
AW
t
WC
t
HZWE
数据
有效的
t
SCE1
t
SCE2
CE
1
CE
2
地址
数据 i/o
我们
写 循环 非. 3 (我们控制, oe低)
[13,14,15,16]
便条 14
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