DAC8531
9
SBAS192B
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典型 特性: v
DD
= 2.7v
在 t
一个
= +25
°
c, v
DD
= 2.7v, 除非 否则 指出.
便条: 所有 references 至 i
DD
包含 i
REF
电流.
全部-规模 错误 vs 温度
–
40
错误 (mv)
温度 (
°
c)
0 40 80 120
20
15
10
5
0
–
5
–
10
–
15
–
20
I
DD
HISTOGRAM
频率
I
DD
(
µ
一个)
2000
1500
1000
500
0
100 130 160 190 220 250 280 310 340 370 400
源 和 下沉 电流 能力
0
V
输出
(v)
I
源/下沉
(毫安)
51015
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
dac 承载 和 ffff
H
dac 承载 和 0000
H
500
400
300
200
100
0
供应 电流 vs 数字的 输入 代号
0000
H
I
DD
(
µ
一个)
数字的 输入 代号
2000
H
4000
H
6000
H
8000
H
A000
H
C000
H
E000
H
FFFF
H
电源 供应 电流 vs 温度
–
40
安静的 电流
(
µ
一个)
温度 (
°
c)
0 40 80 120
350
300
250
200
150
100
50
0
供应 电流 vs 逻辑 输入 电压
0
I
DD
(
µ
一个)
V
逻辑
(v)
0.5 1 1.5 2 2.5 3
200
180
160
140
120
100
80
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