de275-501n16a
rf 电源 场效应晶体管
directed 活力, 公司
一个
IXYS
公司
501n16a de-序列 额外的刺激 模型
这 de-序列 额外的刺激 模型 是 illustrated 在 图示 1. 这 模型 是 一个 expansion 的 这 额外的刺激
水平的 3 场效应晶体管 模型. 它 包含 这 偏离 inductive 条款 l
G
, l
S
和 l
D
. rd 是 这 r
ds(在)
的
这 设备, rds 是 这 resistive 泄漏 期. 这 输出 电容, c
OSS
, 和 反转 转移
电容, c
RSS
是 modeled 和 使反转 片面的 二极管. 这个 提供 一个 varactor 类型 re-
sponse 需要 为 一个 高 电源 设备 模型. 这 转变 在 延迟 和 这 转变 止 延迟 是 ad-
justed 通过 ron 和 roff.
图示 1 de-序列 额外的刺激 模型
这个 额外的刺激 模型 将 是 下载 作 一个 text 文件 从 这 dei 网 站点 在
www.directedenergy.com/额外的刺激.htm
网 列表:
SYM=POWMOSN
.子电路定义 501n16a 10 20 30
* terminals: d g s
* 500 volt 16 放大 .5 ohm n-频道 电源 场效应晶体管
* reva 6-15-00
m1 1 2 3 3 dmos l=1u w=1u
ron 5 6 .2
don 6 2 d1
rof 5 7 .2
dof 2 7 d1
d1crs 2 8 d2
d2crs 1 8 d2
cgs 2 3 2.0n
rd 4 1 .5
dcos 3 1 d3
rds 1 3 5.0meg
ls 3 30 .5n
ld 10 4 1n
lg 20 5 1n
.模型 dmos nmos (水平的=3 vto=3.0 kp=5.8)
.模型 d1 d (是=.5f cjo=10p bv=100 m=.5 vj=.7 tt=1n rs=10m)
.模型 d2 d (是=.5f cjo=450p bv=500 m=.4 vj=.6 tt=10n rs=10m)
.模型 d3 d (是=.5f cjo=900p bv=500 m=.3 vj=.3 tt=400n rs=10m)
.ends
56
7
8
4
10 流
30 源
20 门
Don
Dcos
D2crs
D1crs
Rds
Ron
Doff
Roff
Rd
Lg
Ld
Ls
M3
2
13
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