ds1270y/ab
2 的 8
读 模式
这 ds1270 设备 execute 一个 读 循环 whenever
我们
(写 使能) 是 inactive (高) 和
CE
(碎片
使能) 和
OE
(输出 使能) 是 起作用的 (低). 这 唯一的 地址 指定 用 这 21 地址 输入
(一个
0
- 一个
20
) 定义 这个 的 这 2,097,152 字节 的 数据 是 accessed. 有效的 数据 将 是 有 至 这
第八 数据 输出 驱动器 在里面 t
ACC
(进入 时间) 之后 这 last 地址 输入 信号 是 稳固的, 供应
那
CE
和
OE
(输出 使能) 进入 时间 是 也 satisfied. 如果
OE
和
CE
进入 时间 是 不
satisfied, 然后 数据 进入 必须 是 量过的 从 这 后来的-occurring 信号 (
CE
或者
OE
) 和 这 限制的
参数 是 也 t
CO
为
CE
或者 t
OE
为
OE
相当 比 t
ACC
.
写 模式
这 ds1270 设备 execute 一个 写 循环 whenever
我们
和
CE
信号 是 起作用的 (低) 之后 地址
输入 是 稳固的. 这 后来的-occurring 下落 边缘 的
CE
或者
我们
将 决定 这 开始 的 这 写 循环.
这 写 循环 是 terminated 用 这 早期 rising 边缘 的
CE
或者
我们
. 所有 地址 输入 必须 是 保持
有效的 全部地 这 写 循环.
我们
必须 返回 至 这 高 状态 为 一个 最小 恢复 时间 (t
WR
)
在之前 另一 循环 能 是 initiated. 这
OE
控制 信号 应当 是 保持 inactive (高) 在 写
循环 至 避免 总线 contention. 不管怎样, 如果 这 输出 驱动器 是 使能 (
CE
和
OE
起作用的) 然后
我们
将 使不能运转 这 输出 在 t
ODW
从 它的 下落 边缘.
数据 保持 模式
这 ds1270ab 提供 全部-函数的 能力 为 v
CC
更好 比 4.75 伏特 和 写 保护 用
4.5 伏特. 这 ds1270y 提供 全部-函数的 能力 为 v
CC
更好 比 4.5 伏特 和 写
保护 用 4.25 伏特. 数据 是 maintained 在 这 absence 的 v
CC
没有 任何 额外的 支持 电路系统.
这 nonvolatile 静态的 rams constantly 监控 v
CC
. 应当 这 供应 电压 decay, 这 nv srams
automatically 写 保护 themselves, 所有 输入 变为 don’t 小心, 和 所有 输出 变为 高-
阻抗. 作 v
CC
falls 在下 大概 3.0 伏特, 一个 电源 切换 电路 connects 这 lithium
活力 源 至 内存 至 retain 数据. 在 电源-向上, 当 v
CC
rises 在之上 大概 3.0 伏特,
这 电源 切换 电路 connects 外部 v
CC
至 内存 和 disconnects 这 lithium 活力 源.
正常的 内存 运作 能 重新开始 之后 v
CC
超过 4.75 伏特 为 这 ds1270ab 和 4.5 伏特 为 这
ds1270y.
freshness seal
各自 ds1270 设备 是 运输 从 达拉斯市 半导体 和 它的 lithium 活力 源 disconnected,
guaranteeing 全部 活力 capacity. 当 v
CC
是 第一 应用 在 一个 水平的 更好 比 v
TP
, 这 lithium
活力 源 是 使能 为 电池 backup 运作.
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