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手机版
资料编号:819892
资料名称:
DS1270Y-100IND
文件大小: 173K
说明
:
介绍
:
16M Nonvolatile SRAM
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ds1270y/ab
4 的 8
交流 电的
(v
CC
=5V
±
=
5% 为 ds1270ab)
特性
(t
一个
: 看 便条 10) (v
CC
=5V
±
=
10% 为 ds1270y)
ds1270ab-70
ds1270y-70
ds1270ab-100
ds1270y-100
参数 标识
最小值 最大值 最小值 最大值
单位 注释
读 循环 时间
t
RC
70 100
ns
进入 时间
t
ACC
70 100 ns
OE
至 输出 有效的
t
OE
35 50 ns
CE
至 输出 有效的
t
CO
70 100 ns
OE
或者
CE
至 输出 起作用的
t
COE
5 5
ns
5
输出 高 z 从 deselection
t
OD
25 35 ns
5
输出 支撑 从 地址 改变
t
OH
5 5
ns
写 循环 时间
t
WC
70 100
ns
写 脉冲波 宽度
t
WP
55 75
ns
3
地址 建制 时间
t
AW
0 0
ns
写 恢复 时间
t
WR1
t
WR2
5
15
5
15
ns
ns
12
13
输出 高 z 从
我们
t
ODW
25 35 ns
5
输出 起作用的 从
我们
t
OEW
5 5
ns
5
数据 建制 时间
t
DS
30 40
ns
4
数据 支撑 时间
t
DH1
t
DH2
0
10
0
10
ns
ns
12
13
定时 图解: 读 循环
看 便条 1
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