LOGIC DIAG内存
RECOMMENDED 运行 CONDI德州仪器ONS
Symbol 参数 Value 单位
V
DD
供应 电压 :
HCC
类型
HCF
类型
3to 18
3to 15
V
V
V
I
输入 电压 0 至 V
DD
V
T
运算
运行 温度 :
HCC
类型
HCF
类型
– 55 至 125
–40to85
°
C
°
C
ABSOLUTE 最大 比率S
Symbol 参数 Value 单位
V
DD
* 供应 电压 :
HCC
类型
HCF
类型
– 0.5 至 + 20
– 0.5 至 + 18
V
V
V
I
输入 电压 – 0.5 至 V
DD
+ 0.5 V
I
I
直流 输入 电流 (任何 一个 输入)
±
10 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 (每 包装)
消耗 每 输出 晶体管
为 T
运算
= 全部 包装-温度 范围
200
100
mW
mW
T
运算
运行 温度 :
HCC
类型
HCF
类型
– 55 至 + 125
–40to+85
°
C
°
C
T
stg
存储 温度 – 65 至 + 150
°
C
压力 在之上 那些 listed 下面 ” 绝对 最大 比率 ” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 is 一个 压力
比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 indicated in 这 运算的 秒-
tions 的 这个 specificati在 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 f或者 扩展 时期 将 影响 设备
reliability.
* 所有 电压 是 和 遵守 至 V
SS
(地).
hcc/hcf4541B
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