rev. 0
–2–
(v
在
= +9 v, t
一个
= t
最小值
至 t
最大值
, 除非 否则 指出)
绝对 最大 ratings*
(t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
输入 电压, v
在
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +18 v
终端 电压
(adm663a) 管脚 1, 3, 5, 6, 7
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (地
– 0.3 v) 至 (v
在
+ 0.3 v)
(adm666a) 管脚 1, 2, 3, 5, 6
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (地
– 0.3 v) 至 (v
在
+ 0.3 v)
(adm663a) 管脚 2 . . . . . . . . (地 – 0.3 v) 至 (v
OUT1
+ 0.3 v)
(adm666a) 管脚 7 . . . . . . . . . . . . . . (地
– 0.3 v) 至 +16.5 v
输出 源 电流
(adm663a, adm666a) 管脚 2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100 毫安
(adm663a) 管脚 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 毫安
输出 下沉 电流, 管脚 7 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .–20 毫安
电源 消耗, n-8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800 mw
(减额 8.3 mw/
°
c 在之上 +30
°
c)
θ
JA
, 热的 阻抗 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120
°
c/w
adm663a/adm666a–specifications
电源 消耗, r-8 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 570 mw
(减额 6 mw/
°
c 在之上 +30
°
c)
θ
JA
, 热的 阻抗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 170
°
c/w
运行 温度 范围
工业的 (一个 版本) . . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) . . . . . . . . . . . . . +300
°
C
vapor 阶段 (60 秒) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +215
°
C
infrared (15 秒). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +220
°
C
静电释放 比率 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .>5000 v
*this 是 一个 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何
其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运作 sections 的 这个 specifica-
tion 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展
时期 的 时间 将 影响 可靠性.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况/comments
输入 电压, v
在
2.0 16.5 V
安静的 电流, i
Q
69
µ
一个 非 加载, v
在
= +16.5 v
输出 电压, v
输出(2)
(+5 v 模式) 4.75 5.0 5.25 V V
设置
= 地
输出 电压, v
输出(2)
(+3.3 v 模式) 3.135 3.3 3.465 V V
设置
= v
在
落后 电压, v
做
0.75 0.9 V I
输出
= 40 毫安, v
输出
= +14.5 v
落后 电压, v
做
1.0 1.2 V I
输出
= 100 毫安, v
输出
= +14.5 v
线条 规章制度 (
∆
V
输出(2)
/
∆
V
在
) 0.03 0.35 %/v +2 v
≤
V
在
≤
+15 v, v
输出
= v
REF
加载 规章制度 V
在
= (v
输出
+3 v), 1 毫安
≤
I
输出(2)
≤
100 毫安
∆
V
输出(2)
;(
∆
V
输出(2)
/
∆
I
输出(2)
) 0.3 1.0
Ω
V
设置
= 地 (fixed +5 v 输出)
0.15 0.35
Ω
V
设置
= v
在
(fixed +3.3 v 输出)
0.15 0.30
Ω
V
设置
= resistive 分隔物 (可调整的 输出)
∆
V
OUT1
;(
∆
V
OUT1
/
∆
I
OUT1
) 0.25 1.2
Ω
adm663a, 50
µ
一个
≤
I
OUT1
≤
10 毫安
涉及 电压, v
设置
1.27 1.33 V T
一个
= +25
°
c, v
输出
= v
设置
涉及 tempco (
∆
V
设置
/
∆
t)
±
100 ppm/
°
C
V
设置
内部的 门槛
V
f/一个
低 50 mV V
设置
< v
f/一个
低 为 +5 v 输出
V
f/一个
高 V
在
– 50 mV V
设置
> v
f/一个
高 为 +3.3 v 输出
V
设置
输入 电流, i
设置
±
0.01
±
10 nA
关闭 输入 电压, v
SHDN
1.4 V V
SHDN
高 = 输出 止
0.3 V V
SHDN
低 = 输出 在
关闭 输入 电流, i
SHDN
±
0.01
±
10 nA
sense 输入 门槛, v
输出
– v
SENSE
0.5 V 电流 限制 门槛
sense 输入 阻抗, r
SENSE
3M
Ω
输入-输出 饱和 阻抗, r
SAT
adm663a, v
OUT1
200 400
Ω
V
在
= +2 v, i
输出
= 1 毫安
20 40
Ω
V
在
= +9 v, i
输出
= 10 毫安
20 30
Ω
V
在
= +15 v, i
输出
= 10 毫安
输出 电流, i
输出(2)
100 毫安 +3 v
≤
V
在
≤
+16.5 v, v
在
– v
输出
= +1.5 v
最小 加载 电流, i
l (最小值)
1.0
µ
一个
lbi 输入 门槛
低 going 1.1 1.26 V ADM666A
高 going 1.29 1.42 V ADM666A
Hysteresis 30 mV ADM666A
lbi 输入 电流, i
LBI
±
0.01
±
10 nA ADM666A
lbo 输出 饱和 阻抗, r
SAT
20 30
Ω
adm666a, i
SAT
= 2 毫安
lbo 输出 泄漏 电流 0.2 nA adm666a, lbi = 1.4 v
V
TC
打开 电路 电压, v
TC
0.9 V ADM663A
V
TC
下沉 电流, i
TC
8.0 2.0 毫安 ADM663A
V
TC
温度 系数 +2.5 mv/
°
C ADM663A
规格 主题 至 改变 没有 注意.
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