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资料编号:823892
 
资料名称:HD74HCT1G04
 
文件大小: 40K
   
说明
 
介绍:
High speed CMOS inverter using silicon gate CMOS process
 
 


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HD74HCT1G04
4
电的 特性
Item 标识 V
CC
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= –40 至 85
°
C
单位 测试 情况
(v) 最小值 典型值 最大值 最小值 最大值
输入 电压 V
IH
4.5 至
5.5
2.0 2.0 V
V
IL
4.5 至
5.5
0.8 0.8
输出 电压 V
OH
4.5 4.4 4.5 4.4 V V
= v
IL
I
OH
= –20
µ
一个
4.5 4.18 4.31 4.13 I
OH
= –2 毫安
V
OL
4.5 0.0 0.1 0.1 V
= v
IH
I
OL
= 20
µ
一个
4.5 0.17 0.26 0.33 I
OL
= 2 毫安
输入 电流 I
5.5
±
0.1
±
1.0
µ
AV
= v
CC
或者 地
运行
电流
I
CC
5.5 1.0 10.0
µ
AV
= v
CC
或者 地
安静的
供应 电流
I
CCT
5.5 2.0 2.9 毫安 一个 输入 v
= 2.4 v,
其它 输入 v
CC
或者 地
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