5.2 4
idt6167sa/la
cmos 静态的 内存 16k (16k x 1-位) 军队 和 商业的 温度 范围
直流 电的 特性
V
CC
= 5.0v
±
10%
IDT6167SA IDT6167LA
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
|I
LI
| 输入 泄漏 电流 V
CC
= 最大值., MIL — 10 — 5
µ
一个
V
在
= 地 至 v
CC
COM’L — 5 — 2
|I
LO
| 输出 泄漏 电流 V
CC
= 最大值.,
CS
= v
ih,
MIL — 10 — 5
µ
一个
V
输出
= 地 至 v
CC
COM’L — 5 — 2
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 8ma, v
CC
= 最小值 — 0.4 — 0.4 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –4ma, v
CC
= 最小值 2.4 — 2.4 — V
数据 保持 特性 在 所有 温度 范围
(la 版本 仅有的) v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
– 0.2v
典型值
(1)
最大值
V
CC
@V
CC
@
标识 参数 测试 情况 最小值 2.0v 3.0v 2.0v 3.0v 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 — 2.0 — — — — V
I
CCDR
数据 保持 电流 mil. — 0.5 1.0 200 300
µ
一个
com’l. — 0.5 1.0 20 30
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
CS
≥
V
HC
0————ns
保持 时间 VIN
≥
V
HC
或者
≤
V
LC
t
R
(3)
运作 恢复 时间 t
RC
(2)
————ns
|I
LI
|
(3)
输入 泄漏 电流 — — — — 2 2
µ
一个
注释:
2981 tbl 09
1. T
一个
= +25
°
c.
2. t
RC
= 读 循环 时间.
3. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
低 v
CC
数据 保持 波形
2981 tbl 08
2981 drw 03
数据
保持
模式
4.5v 4.5v
V
DR
≥
2V
V
IH
V
IH
t
R
t
CDR
V
CC
CS
V
DR
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