MC74HC4066ADR2_集成电路资料查询网

mc54/74hc4066a
high–speed cmos 逻辑 数据
dl129 — rev 6
9 MOTOROLA
+ 5 v
14
HC4016
控制
输入
7
5
6
14
15
lsttl/
NMOS
相似物
信号
R* R* R* R*
相似物
信号
HCT
缓存区
r* = 2 至 10 k
Ω
V
DD
= 5 v V
CC
= 5 至 12 v
相似物
信号
相似物
信号
1 16 14
HC4016
控制
输入
78
MC14504
13
3
5
7
9
11
14
2
4
6
10
5
6
14
15
频道 4
频道 3
频道 2
频道 1
1 的 4
SWITCHES
一般 i/o
1 2 3 4
控制 输入
输入
输出
0.01
µ
F
lf356 或者
相等的
一个. 使用 拉-向上 电阻器 b. 使用 hct 缓存区
图示 18. lsttl/nmos 至 hcmos 接口
图示 19. ttl/nmos–to–cmos 水平的 转换器
相似物 信号 peak–to–peak 更好 比 5 v
(也 看 hc4316a)
图示 20. 4–input 多路调制器 图示 21. 样本/支撑 放大器
+
–
1 的 4
SWITCHES
+ 5 v
14
HC4016
控制
输入
7
5
6
14
15
lsttl/
NMOS
相似物
信号
相似物
信号
1 的 4
SWITCHES
1 的 4
SWITCHES
1 的 4
SWITCHES

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

mc54/74hc4066a high–speed cmos 逻辑数据 dl129 — rev 6 9 MOTOROLA + 5 v 14 HC4016 控制输入 7 5 6 14 15 lsttl/ NMOS 相似物信号 R* R* R* R* 相似物信号 HCT 缓存区 r* = 2 至 10 k Ω V DD = 5 v V CC = 5 至 12 v 相似物信号相似物信号 1 16 14 HC4016 控制输入 78 MC14504 13 3 5 7 9 11 14 2 4 6 10 5 6 14 15 频道 4 频道 3 频道 2 频道 1 1 的 4 SWITCHES 一般 i/o 1 2 3 4 控制输入输入输出 0.01 µ F lf356 或者相等的一个. 使用拉-向上电阻器 b. 使用 hct 缓存区图示 18. lsttl/nmos 至 hcmos 接口图示 19. ttl/nmos–to–cmos 水平的转换器相似物信号 peak–to–peak 更好比 5 v (也看 hc4316a) 图示 20. 4–input 多路调制器图示 21. 样本/支撑放大器 + – 1 的 4 SWITCHES + 5 v 14 HC4016 控制输入 7 5 6 14 15 lsttl/ NMOS 相似物信号相似物信号 1 的 4 SWITCHES 1 的 4 SWITCHES 1 的 4 SWITCHES

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com