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资料编号:82887
 
资料名称:Si4936ADY-T1
 
文件大小: 61.38K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4936ADY
vishay siliconix
www.vishay.com
2
文档 号码: 71132
s-31989—rev. b, 13-oct-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 1.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
30 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 5.9 一个
0.032 0.036
Dra在-源 在-状态Resistance
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 4.9 一个 0.042 0.053
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 5.9 一个 15 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.7 一个, v
GS
= 0 v 0.8 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
13 20
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 5.9 一个 2.3 nC
门-流 承担 Q
gd
2.0
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
6 12
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
14 25
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
30 60
ns
下降 时间 t
f
5 10
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s 30 60
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计,不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
6
12
18
24
30
012345
0
6
12
18
24
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
V
GS
= 10 thru 5 v
T
C
=-55
C
125
C
2 v
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
4 v
3 v
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