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资料编号:82927
 
资料名称:SI9926ADY
 
文件大小: 37.12K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si9926ADY
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2
文档 号码: 71633
s-04055
rev. 一个, 25-六月-01



参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 0.6 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
12 v
100 nA
V
DS
GS
= 0 v 1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
GS
= 0 v, t
J
= 55
C 25
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 4.5
V
20 一个
一个
V
GS
= 4.5
v,I
D
= 6 一个
0.023 0.030
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 5 一个 0.030 0.040
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 6 一个 22 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.7 一个, v
GS
= 0 v 0.7 1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
13 20
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 6 一个 3 nC
门-流 承担 Q
gd
3.3
d(在)
22 35
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
40 60
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 4.5 v, r
G
= 6
50 75
ns
下降 时间 t
f
20 30
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s 40 80
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.


0
6
12
18
24
30
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
0
6
12
18
24
30
0246810
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
V
GS
= 5 thru 3 v
V
GS
门-至-源 电压 (v)
流 电流 (一个)I
D
T
C
= 125
C
2.5 v
55
C
25
C
2 v
1.5 v
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