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S
D
G
S
D
G
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 55 ––– ––– V
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.053 ––– v/°c
––– 46 58
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– ––– 80
m
Ω
––– ––– 100
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0 ––– 3.0 V
gfs 向前 跨导 7.4 ––– ––– S
I
DSS
流-至-源 leakage 电流 ––– ––– 20 µA
––– ––– 250
I
GSS
门-至-源 向前 leakage ––– ––– 200 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -200
Q
g
总的 门 承担 ––– 6.6 9.9
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 1.6 ––– nC
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 3.9 –––
t
d(在)
转变-在 延迟时间 ––– 8.2 –––
t
r
上升 时间 ––– 43 –––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 19 ––– ns
t
f
下降 时间 ––– 16 –––
L
D
内部的 流 电感 ––– 4.5 ––– 在 含铅的,
nH 6mm (0.25in.)
L
S
内部的 源 电感 ––– 7.5 ––– 从 包装
和 中心的 消逝 联系
C
iss
输入 电容 ––– 380 –––
C
oss
输出 capacitance ––– 62 –––
C
rss
反转 转移 电容 ––– 39 ––– pF
C
oss
输出 capacitance ––– 180 –––
C
oss
输出 capacitance ––– 50 –––
C
oss
eff.
有效的 输出 电容 ––– 81 –––
源-流 ratings 和 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 source 电流 ––– ––– 16
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 64
(身体 二极管)
Ã
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 16 24 ns
Q
rr
反转 恢复承担 ––– 11 17 nC
t
在
向前 转变-on 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
V
GS
= 5.0v, i
D
= 5.0a
e
V
GS
= 4.5v, i
D
= 3.0a
e
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 44v, ƒ = 1.0mhz
V
DS
= 25v, i
D
= 9.6a
I
D
= 5.0a
V
DS
= 44v
V
GS
= 16v
V
GS
= -16v
V
GS
= 5.0v
e
V
DD
= 28v
I
D
= 5.0a
R
G
= 28
Ω
T
J
= 25°c, i
S
= 9.6a, v
GS
= 0v
e
T
J
= 25°c, i
F
= 9.6a, v
DD
= 28v
di/dt = 100a/µs
e
Conditions
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 9.6a
e
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v
V
DS
= 55v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
场效应晶体管 标识
表明 这
integral 反转
p-n junction 二极管.
Conditions
V
GS
= 5.0v
e
V
GS
= 0v
V
DS
= 25v
ƒ = 1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 44v
f
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