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整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
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rev. b
08/07/02
IS63LV1024L
ISSI
®
交流 波形
写 循环 非. 2
(1)
(
我们
控制,
OE
= 高 在 写 循环)
写 循环 非. 3
(
我们
控制:
OE
是 低 在 写 循环)
注释:
1. 这 内部的 写 时间 是 定义 用 这 overlap 的
CE
低 和
我们
低. 所有 信号 必须 是 在 有效的 states 至 initiate 一个 写,
但是 任何 一个 能 go inactive 至 terminate 这 写. 这 数据 输入 建制 和 支撑 定时 是 关联 至 这 rising 或者 falling
边缘 的 这 信号 那 terminates 这 写.
2. i/o 将 假设 这 高-z 状态 如果
OE
• v
IH
.
数据 未阐明的
低
t
WC
有效的 地址
t
PWE1
t
AW
t
HA
高-z
t
HD
t
SA
t
HZWE
地址
CE
我们
D
输出
D
在
OE
数据
在
有效的
t
LZWE
t
SD
ce_wr2.eps
数据 未阐明的
t
WC
有效的 地址
低
低
t
PWE2
t
AW
t
HA
高-z
t
HD
t
SA
t
HZWE
地址
CE
我们
D
输出
D
在
OE
数据
在
有效的
t
LZWE
t
SD
ce_wr3.eps