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资料编号:836913
 
资料名称:IRF830A
 
文件大小: 141K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0 4 8 12 16 20 24
0
4
8
12
16
20
q , 总的 门 承担 (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
为 测试 电路
看 图示
I =
D
13
5.0a
V =100V
DS
V =250V
DS
V =400V
DS
0.1
1
10
100
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
v ,源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
0.1
1
10
100
10 100 1000 10000
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
C
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
10000
1 10 100 1000
c, capacitance (pf)
DS
v , 流-至-源 电压 (v)
一个
v = 0v, f = 1mhz
c = c + c , c 短接
c = c
c = c + c
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
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