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资料编号:836943
 
资料名称:IRFZ46NSTRR
 
文件大小: 263K
   
说明
 
介绍:
HEXFET POWER MOSFET
 
 


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4 www.irf.com











0
4
8
12
16
20
0 102030405060
q , 总的 门 承担 (nc)
G
v , 门-至-源 电压 (v)
GS
一个
为 测试 电路
看 图示 13
v = 44v
v = 28v
i = 28a
D
DS
DS
1
10
100
1000
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.
4
t = 25°c
J
v = 0v
GS
v , 源-至-流 电压 (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
一个
t = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
v , 流-至-源 电压 (v)
DS
i , 流 电流 (一个)
运作 在 这个 范围 限制
用 r
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
t = 25°c
t = 175°c
单独的 脉冲波
C
J
0
400
800
1200
1600
2000
2400
2800
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
v ,流-至-源 voltage (v)
一个
v = 0v, f = 1mhz
c = c + c , c 短接
c = c
c = c + c
GS
iss gs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
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