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资料编号:837114
 
资料名称:IS62WV12816BLL-55TLI
 
文件大小: 112K
   
说明
 
介绍:
128K x 16 LOW VOLTAGE ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
 
 


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is62wv12816all, is62wv12816bll
ISSI
®
8
整体的 硅 解决方案, 公司 — www.issi.com —
1-800-379-4774
rev. E
06/08/05
数据 有效的
previous 数据 有效的
t
AA
t
OHA
t
OHA
t
RC
D
输出
地址
交流 波形
读 循环 非. 1
(1,2)
(地址 控制) (
CS1
=
OE
= v
IL
,
cs2 =
我们
= v
IH
,
UB
或者
LB
= v
IL
)
t
RC
t
OHA
t
AA
t
DOE
t
LZOE
t
ace1/
t
ACE2
t
lzce1/
t
LZCE2
t
HZOE
高-z
数据 有效的
t
hzcs1/
t
HZCS2
地址
OE
CS1
CS2
DOUT
LB
,
UB
t
HZB
t
BA
t
LZB
交流 波形
读 循环 非. 2
(1,3)
(
CS1
,
cs2,
OE
, 和
UB
/
LB
控制)
注释:
1.
我们
是 高 为 一个 读 循环.
2. 这 设备 是 continuously 选择.
OE
,
CS1
,
UB
, 或者
LB
= v
IL
. cs2=
我们
=V
IH
.
3. 地址 是 有效的 较早的 至 或者 coincident 和
CS1
低 转变.
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