整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
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rev. H
10/02/00
IS63LV1024
ISSI
®
直流 电的 特性
(在 运行 范围)
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
V
OH
输出 高 电压 V
CC
= 最小值., i
OH
=
–
4.0 毫安 2.4
—
V
V
OL
输出 低 电压 V
CC
= 最小值., i
OL
= 8.0 毫安
—
0.4 V
V
IH
输入 高 电压 2.2 V
CC
+ 0.3 V
V
IL
输入 低 电压
(1)
–
0.3 0.8 V
I
LI
输入 泄漏 地
≤
V
在
≤
V
CC
com.
–
11µA
ind.
–
55
I
LO
输出 泄漏 地
≤
V
输出
≤
V
CC
, 输出 无能 com.
–
11µA
ind.
–
55
注释:
1. V
IL
=
–
3.0v 为 脉冲波 宽度 较少 比 10 ns.
电容
(1,2)
标识 参数 情况 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0v 6 pF
C
i/o
输入/输出 电容 V
输出
= 0v 8 pF
注释:
1. 测试 initially 和 之后 任何 设计 或者 处理 改变 那 将 影响 这些 参数.
2. 测试 情况: t
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz, vcc = 3.3v.
电源 供应 特性
(1)
(在 运行 范围)
-8 ns -10 ns -12 ns -15 ns
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
I
CC
1
vcc 运行 V
CC
= 最大值.,
CE
= v
IL
com.
—
160
—
150
—
130
—
120 毫安
供应 电流 I
输出
= 0 毫安, f = 最大值 ind.
—
170
—
160
—
140
—
130
I
SB
ttl 备用物品 V
CC
= 最大值., com.
—
55
—
45
—
40
—
35 m一个
电流 V
在
= v
IH
或者 v
IL
ind.
—
55
—
45
—
40
—
35
(ttl 输入)
CE
≥
V
IH
, f = 最大值
I
SB
1
ttl 备用物品 V
CC
= 最大值., com.
—
25
—
25
—
25
—
25 m一个
电流 V
在
= v
IH
或者 v
IL
ind.
—
30
—
30
—
30
—
30
(ttl 输入)
CE
≥
V
IH
, f = 0
I
SB
2
cmos 备用物品 V
CC
= 最大值., com.
—
5
—
5
—
5
—
5mA
电流
CE
≤
V
CC
–
0.2v, ind.
—
10
—
10
—
10
—
10
(cmos 输入) V
在
≥
V
CC
–
0.2v, 或者
V
在
≤
0.2v, f = 0
注释:
1. 在 f = f
最大值
, 地址 和 数据 输入 是 cycling 在 这 最大 频率, f = 0 意思 非 输入 线条 改变.
运行 范围
范围 包围的 温度 V
CC
商业的 0
°
c 至 +70
°
C 3.3v ± 0.3v
工业的
–
40
°
c 至 +85
°
C 3.3v ± 0.15v
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