©2002 仙童 半导体 公司 isl9r1560g2, isl9r1560p2, isl9r1560s2, isl9r1560s3s rev. c1
isl9r1560g2, isl9r1560p2, isl9r1560s2, isl9r1560s3s
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
动态 特性
切换 特性
热的 特性
P
D
电源 消耗 150 W
E
AVL
avalanche 活力 (1a, 40mh) 20 mJ
T
J
, t
STG
运行 和 存储 温度 范围 -55 至 175
°
C
T
L
T
PKG
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s
包装 身体 为 10s, 看 techbrief tb334
300
260
°
C
°
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在
“
设备 最大 比率
”
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
设备 标记 设备 包装 录音带 宽度 Quantity
R1560G2 ISL9R1560G2 至-247 n/一个 30
R1560P2 ISL9R1560P2 至-220ac n/一个 50
R1560S2 ISL9R1560S2 至-262 n/一个 50
R1560S3S ISL9R1560S3S 至-263ab 24mm 800
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
R
instantaneous 反转 电流 V
R
= 600v T
C
= 25
°
C - - 100
µ
一个
T
C
= 125
°
c--1.0ma
V
F
instantaneous 向前 电压 I
F
= 15a T
C
= 25
°
c-1.82.2v
T
C
= 125
°
C - 1.65 2.0 V
C
J
接合面 电容 V
R
= 10v, i
F
= 0a - 62 - pF
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 1a, di
F
/dt = 100a/
µ
s, v
R
= 30v - 25 30 ns
I
F
= 15a, di
F
/dt = 100a/
µ
s, v
R
= 30v - 35 40 ns
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 15a,
dI
F
/dt = 200a/
µ
s,
V
R
= 390v, t
C
= 25
°
C
- 29.4 - ns
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 3.5 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 57 - nC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 15a,
dI
F
/dt = 200a/
µ
s,
V
R
= 390v,
T
C
= 125
°
C
-90-ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
)-2.0-
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 5.0 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 275 - nC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 15a,
dI
F
/dt = 800a/
µ
s,
V
R
= 390v,
T
C
= 125
°
C
-52-ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
) - 1.36 -
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 13.5 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 390 - nC
dI
M
/dt 最大 di/dt 在 t
b
- 800 - 一个/µs
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 - - 1.0
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-247 - - 30
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-220 - - 62
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-262 - - 62
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-263 - - 62
°
c/w
标识 参数 比率 单位
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