©2002 仙童 半导体 公司 isl9v5036s3s / isl9v5036p3 / isl9v5036s3 rev. c1, 九月 2002
isl9v5036s3s / isl9v5036p3 / isl9v5036s3
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
动态 特性
切换 特性
热的 特性
设备 标记 设备 包装 录音带 宽度 Quantity
V5036S ISL9V5036S3S 至-263ab 24mm 800
V5036P ISL9V5036P3 至-220aa - -
V5036S ISL9V5036S3 至-262aa - -
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CER
集电级 至 发射级 损坏 电压 I
C
= 2ma, v
GE
= 0,
R
G
= 1k
Ω,
看 图. 15
T
J
= -40 至 150
°
C
330 360 390 V
BV
CES
集电级 至 发射级 损坏 电压 I
C
= 10ma, v
GE
= 0,
R
G
= 0
,
看 图. 15
T
J
= -40 至 150
°
C
360 390 420 V
BV
ECS
发射级 至 集电级 损坏 电压 I
C
= -75ma, v
GE
= 0v,
T
C
= 25
°
C
30 - - V
BV
GES
门 至 发射级 损坏 电压 I
GES
= ± 2ma ±12 ±14 - V
I
CER
集电级 至 发射级 泄漏 电流 V
CER
= 250v,
R
G
= 1k
Ω,
看 图. 11
T
C
= 25
°
c- - 25 µA
T
C
= 150
°
c- - 1 毫安
I
ECS
发射级 至 集电级 泄漏 电流 V
EC
= 24v, 看
图. 11
T
C
= 25
°
c- - 1 毫安
T
C
= 150
°
c- - 40 毫安
R
1
序列 门 阻抗 - 75 -
Ω
R
2
门 至 发射级 阻抗 10K - 30K
Ω
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 10a,
V
GE
= 4.0v
T
C
= 25
°
c,
看 图. 4
- 1.17 1.60 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 15a,
V
GE
= 4.5v
T
C
= 150
°
C - 1.50 1.80 V
Q
g(在)
门 承担 I
C
= 10a, v
CE
= 12v,
V
GE
= 5v, 看 图. 14
-32-nc
V
ge(th)
门 至 发射级 门槛 电压 I
C
= 1.0ma,
V
CE
= v
ge,
看 图. 10
T
C
= 25
°
c1.3 - 2.2 V
T
C
= 150
°
c0.75 - 1.8 V
V
GEP
门 至 发射级 plateau 电压 I
C
= 10a,
V
CE
= 12v
-3.0- V
t
d(在)r
电流 转变-在 延迟 时间-resistive V
CE
= 14v, r
L
= 1
Ω,
V
GE
= 5v, r
G
= 1k
Ω
T
J
= 25
°
c, 看 图. 12
-0.74µs
t
rR
电流 上升 时间-resistive - 2.1 7 µs
t
d(止)l
电流 转变-止 延迟 时间-inductive V
CE
= 300v, r
L
= 46
Ω,
V
GE
= 5v, r
G
= 1k
Ω
T
J
= 25
°
c, 看 图. 12
- 4.8 15 µs
t
fL
电流 下降 时间-inductive - 2.8 15 µs
SCIS 自 clamped inductive 切换 T
J
= 25
°
c, l = 670
µ
h,
R
G
= 1k
Ω,
V
GE
= 5v, 看
图. 1 &放大; 2
- - 500 mJ
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面-情况 至-263, 至-220 - - 0.6
°
c/w