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资料编号:839863
 
资料名称:JANTX2N2222A
 
文件大小: 295K
   
说明
 
介绍:
SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
 
 


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msco275a 01-29-98 dsw2n2222a < - > ( 33807)
2N2222A
电的 特性 (t一个= 25
°
c 除非 否则 指出)
止 典型的 标识 最小值 最大值 单位
集电级 - 发射级 损坏 电压 (1) v(br)
CEO
( i
C
= 10毫安 直流, i
B
= 0 ) 50 Vdc
集电级 - 根基 损坏 电压 (1) v(br)
CBO
( i
C
= 10
µ
模数转换器, i
E
= 0 )
75 Vdc
发射级 - 根基 损坏 电压 (1) v(br)
EBO
( i
E
= 10
µ
模数转换器, i
C
= 0 )
6 Vdc
集电级 - 发射级 截止 电流 I
CES
( v
CE
= 50vdc, v
是(止)
= 0 v ) 50 nAdc
集电级 - 根基 截止 电流 I
CBO
( v
CB
= 60vdc, i
E
= 0 ) 10 nAdc
( v
CB
= 60vdc, i
E
= 0, t
一个
= 150
°
c )
10
µ
模数转换器
发射级 - 根基 截止 电流 I
EBO
( v
EB
= 4vdc ) 10 nAdc
在 典型的 标识 最小值 最大值 单位
直流 电流 增益 h
FE
( i
C
= 100
µ
一个 直流, v
CE
= 10vdc )
50
( i
C
= 1毫安 直流, v
CE
= 10vdc ) 75 325
( i
C
= 10毫安 直流, v
CE
= 10vdc ) 100
( i
C
= 150毫安 直流, v
CE
= 10vdc ) (1) 100 300
( i
C
= 500毫安 直流, v
CE
= 10vdc ) (1) 30
( i
C
= 10毫安 直流, v
CE
= 10vdc, t
J
= -55
°
c )
35
集电级 - 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
( i
C
= 150madc, i
B
= 15madc ) (1) 0.3 Vdc
( i
C
= 500madc, i
B
= 50madc ) (1) 1.0 Vdc
根基 - 发射级 饱和 电压 V
是(sat)
( i
C
= 150madc, i
B
= 15madc ) (1) 0.6 1.2 Vdc
( i
C
= 500madc, i
B
= 50madc ) (1) 2.0 Vdc
1. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
µ
s, 职责循环
2.0%
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