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资料编号:83987
 
资料名称:6AM15
 
文件大小: 236.53K
   
说明
 
介绍:
Silicon N/P Channel MOS FET High Speed Power Switching
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
6AM15
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
nch pch
流 至 源 电压
V
DSS
60 –60 V
门 至 源 电压
V
GSS
±20 ±20 V
流 电流
I
D
10 –10 一个
流 顶峰 电流
I
d(脉冲波)
Note1
40 –40 一个
身体-流 二极管 反转 流 电流
I
DR
10 –10 一个
avalanche 电流
I
AP
Note3
10 –10 一个
avalanche 活力
E
AR
Note3
8.5 mJ
频道 消耗 pch (tc = 25°c)
Note2
42 W
频道 消耗
Pch
Note2
4.8 W
频道 温度 Tch 150 °C
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
便条: 1. PW
10
µ
s, 职责 循环
1%
2. 6 设备 运作
3. 值 在 ta = 25°c, rg
50
电的 特性
(n 频道)
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏 电压
V
(br)ds
S
60 V
I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏 电压
V
(br)gs
S
±20 V
I
G
= ±100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流
I
GSS
±10
µ
一个
V
GS
= ±16 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流
I
DSS
10
µ
一个
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压
V
gs(止)
1.5 2.5 V
V
DS
= 10 v,
I
D
= 1 毫安
静态的 流 至 源 在 状态
R
ds(在)
0.045 0.060
I
D
= 5 一个, v
GS
= 10 v
Note5
阻抗
R
ds(在)
0.070 0.115
I
D
= 5 一个, v
GS
= 4 v
Note5
向前 转移 admittance
|y
fs
|
5.5 9 S
I
D
= 5 一个, v
DS
= 10 v
Note5
输入 电容 Ciss 500 pF
V
DS
= 10 v
输出 电容 Coss 260 pF
V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 110 pF f = 1 mhz
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
10 ns
V
GS
=10 v, i
D
= 5 一个
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