ad8065/ad8066
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最大 电源 消耗
这 最大 safe 电源 消耗 在 这 ad8065/ad8066
包装 是 限制 用 这 有关联的 上升 在 接合面
温度 (t
J
) 在 这 消逝. 这 塑料 encapsulating 这 消逝
将 locally reach 这 接合面 温度. 在 大概
150°c, 这个 是 这 glass 转变 温度, 这 塑料 将
改变 它的 properties. 甚至 temporarily exceeding 这个
温度 限制 能 改变 这 压力 那 这 包装
exerts 在 这 消逝, permanently shifting 这 参数
效能 的 这 ad8065/ad8066. exceeding 一个 接合面
温度 的 175°c 为 一个 扩展 时期 的 时间 能 结果
在 改变 在 这 硅 设备, 可能地 造成 失败.
这 安静的-空气 热的 properties 的 这 包装 和 pcb (θ
JA
),
包围的 温度 (
T
一个
), 和 总的 电源 dissipated 在 这
包装 (
P
D
) 决定 这 接合面 温度 的 这 消逝. 这
接合面 温度 能 是 计算 作
( )
JA
D
一个
J
PTT
θ×+=
这 电源 dissipated 在 这 包装 (
P
D
) 是 这 总 的 这
安静的 电源 消耗 和 这 电源 dissipated 在 这
包装 预定的 至 这 加载 驱动 为 所有 输出. 这 安静的
电源 是 这 电压 在 这 供应 管脚 (
V
S
) 时间 这
安静的 电流 (
I
S
). 假设 这 加载 (
R
L
) 是 关联 至
midsupply, 然后 这 总的 驱动 电源 是
V
S
/2 ×
I
输出
, some的
这个 是 dissipated 在 这 包装 和 一些 在 这 加载 (
V
输出
×
I
输出
). 这 区别 在 这 总的 驱动 电源 和 这 加载
电源 是 这 驱动 电源 dissipated 在 这 包装.
( )
PowerLoadPowerDriveTotalPowerQuiescentP
D
−+=
()
L
输出
L
输出
S
SS
D
R
V
R
VV
IVP
2
2
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
×+×=
rms 输出 电压 应当 是 考虑. 如果
R
L
是 关联 至
V
S
−, 作 在 单独的-供应 运作, 然后 这 总的 驱动 电源 是
V
S
×
I
输出
.
如果 这 rms 信号 水平 是 indeterminate, 然后 考虑 这
worst 情况, 当
V
输出
=
V
S
/4 为
R
L
至 midsupply.
()
()
L
S
SS
D
R
V
IVP
2
4/
+×=
在 单独的-供应 运作 和
R
L
关联 至
V
S
−
, worst case
是
V
输出
=
V
S
/2.
最大 电源 消耗 (w)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
200–40 –20–60 40 60 80 100
包围的 温度 (°c)
02916-e-003
msop-8
soic-8
sot-23-5
图示 3. 最大 电源 消耗 vs. 温度 为 一个 4-layer 板
airflow 将 增加 热温 消耗, effectively 减少 θ
JA
.
也, 更多 metal 直接地 在 联系 和 这 包装 leads
从 metal 查出, 通过 孔, 地面, 和 电源 平面 将
减少 这 θ
JA
. 小心 必须 是 带去 至 降低 parasitic
capacitances 在 这 输入 leads 的 高 速 运算 放大器 作
discussed 在 这 布局, grounding, 和 bypassing
仔细考虑 部分.
图示 3 显示 这 最大 safe 电源 消耗 在 这
包装 相比 这 包围的 温度 为 这 soic
(125°c/w), sot-23 (180°c/w), 和 msop (150°c/w)
包装 在 一个 电子元件工业联合会 标准 4-layer 板. θ
JA
值 是
approximations.
输出 短的 电路
shorting 这 输出 至 地面 或者 绘画 过度的 电流 为
这 ad8065/ad8066 将 likely 导致 catastrophic 失败.
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