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LT1185
applicatio s i 为 atio
UU W U
放大器 a2 是 使用 至 发生 一个 内部的 电流 通过
q4 当 一个 外部 电阻 是 连接 从 这 ref
管脚 至 地面. 这个 电流 是 equal 至 2.37v 分隔 用
R
LIM
. 它 发生 一个 电流 限制 sense 电压 横过 r1.
这 调整器 将 电流 限制 通过 a4 当 这 电压
横过 r2 是 equal 至 这 电压 横过 r1. 这些 二
电阻器 essentially 表格 一个 电流 “amplifier” 和 一个 增益
的 350/0.055 = 6,360. 好的 温度 逐渐变化 是 固有的
因为 r1 和 r2 是 制造 从 这 一样 diffusions.
它们的 比率, 不 绝对 值, 确定 电流 限制.
最初的 精度 是 增强 用 修整 r1 slightly 在
薄脆饼 水平的. 电流 限制 是 equal 至 15k
Ω
/r
LIM
.
d1 和 i
1
是 使用 至 保证 调整器 关闭 当
ref 管脚 电流 drops 在下 2
µ
一个. 一个 电流 较少 比 2
µ
一个
通过 q4 导致 这 +输入 的 a5 至 go 低 和 shut
向下 这 调整器 通过 d2.
a3 是 一个 内部的 电流 限制 放大器 这个 能 override
这 外部 电流 限制. 它 提供 “goof proof” protec-
tion 为 这 通过 晶体管. 虽然 不 显示, a3 有
一个 非线性的 foldback 典型的 在 输入-输出 volt-
ages 在之上 12v 至 保证 safe 范围 保护 为 q3.
看 这 图表, 内部的 电流 限制 在 这 典型 perfor-
mance 特性 的 这个 数据 薄板.
设置 输出 电压
这 lt1185 输出 电压 是 设置 用 二 外部 电阻器
(看 图示 2). 内部的 涉及 电压 是 修整 至
2.37v 所以 那 一个 标准 1% 2.37k 电阻 (r1) 能 是
使用 至 设置 分隔物 电流 在 1ma. r2 是 然后 选择
从:
为 r1 = 2.37k 和 v
REF
= 2.37v, 这个 减少 至:
r2 = v
输出
– 2.37k
建议的 值 的 1% 电阻器 是 显示.
V
输出
r2 当 r1 = 2.37k
5V 2.67k
5.2v 2.87k
6V 3.65k
12V 9.76k
15V 12.7k
输出 电容
这 lt1185 有 一个 集电级 输出 npn 通过 晶体管,
这个 制造 这 打开-循环 输出 阻抗 更
高等级的 比 一个 发射级 追随着. 打开-循环 增益 是 一个 直接
函数 的 加载 阻抗, 和 导致 一个 主要的-循环
“pole” 至 是 创建 用 这 输出 电容, 在 增加 至
一个 内部的 柱子 在 这 错误 放大器. 至 确保 循环
稳固, 这 输出 电容 必须 有 一个 等效串联电阻 (有效的
序列 阻抗) 这个 有 一个 upper 限制 的 2
Ω
, 和 一个
更小的 限制 的 0.2 分隔 用 这 电容 在
µ
f. 一个 2
µ
F
输出 电容, 为 instance, 应当 有 一个 最大
等效串联电阻 的 2
Ω
, 和 一个 最小 的 0.2/2 = 0.1
Ω
. 这些 值
是 容易地 encompassed 用 标准 固体的 tantalum
电容, 但是 occasionally 一个 固体的 tantalum 单位 将 有
abnormally 高 等效串联电阻, 特别 在 非常 低 tempera-
tures. 这 建议的 2
µ
f 值 显示 在 这 电路
产品 应当 是 增加 至 4.7
µ
f 为 –40
°
c 和
–55
°
c 设计 如果 这 2
µ
f 单位 不能 是 有保证的 至
停留 在下 2
Ω
在 这些 温度.
虽然 固体的 tantalum 电容 是 建议的, 其它
类型 能 是 使用 如果 它们 满足 这 等效串联电阻 (所需的)东西.
标准 铝 electrolytic 电容 需要 至 是
upward 的 25
µ
f 在 一般 至 支撑 2
Ω
最大 等效串联电阻,
特别 在 低 温度. 陶瓷的, 塑料 影片, 和
大而单一的 电容 有 一个 问题 和 等效串联电阻 正在 too
低
. 这些 类型 应当 有 一个 1
Ω
carbon 电阻 在
序列 至 保证 循环 稳固.
这 输出 电容 应当 是 located 关闭 至 这 regu-
lator (
≤
3") 至 避免 过度的 阻抗 预定的 至 含铅的
电感. 一个 六 inch 含铅的 长度 (2 • 3") 将 发生 一个
extra 0.8
Ω
inductive reactance 在 1mhz, 和 统一体-增益
频率 能 是 向上 至 那 值.
为 偏远的 sense 产品, 这 电容 应当 安静的 是
located 关闭 至 这 调整器. 额外的 电容 能
是 增加 在 这 偏远的 sense 要点, 但是 这 偏远的
电容 必须 是 在 least 2
µ
f 固体的 tantalum. 它 不能 是
一个 低 等效串联电阻 类型 像 陶瓷的 或者 mylar 除非 一个 0.5
Ω
至 1
Ω
carbon 电阻 是 增加 在 序列 和 这 电容. 逻辑
boards 和 多样的 低 等效串联电阻 绕过 电容 应当
有 一个 固体的 tantalum 单位 增加 在 并行的 谁的 值 是
大概 five 时间 这 联合的 值 的 低 等效串联电阻
电容.
r2 =
(v
输出
– 2.37) r1
V
REF
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