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LTC1148
ltc1148-3.3/ltc1148-5
applicatio s i 为 atio
WUU U
水平的 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 2.5v) 是 strongly
推荐. 这 ltc1148/ltc1148hv 序列 供应
电压 必须 总是 是 较少 比 这 绝对 最大
V
GS
比率 为 这 mosfets.
这 最大 输出 电流 i
最大值
确定 这 r
ds(在)
必要条件 为 这 二 mosfets. 当 这 ltc1148
序列 是 运行 在 持续的 模式, 这 simplifying
assumption 能 是 制造 那 一个 的 这 二 mosfets 是
总是 组织 这 平均 加载 电流. 这 职责
循环 为 这 二 mosfets 是 给 用:
p-ch 职责 循环 =
V
输出
V
在
n-ch 职责 循环 =
(v
在
– v
输出
)
V
在
从 这 职责 循环 这 必需的 r
ds(在)
为 各自 mos-
场效应晶体管 能 是 获得:
p-ch r
ds(在)
=
V
在
(p
P
)
V
输出
(i
最大值
2
)(1 +
δ
P
)
n-ch r
ds(在)
=
V
在
(p
N
)
(v
在
– v
输出
)(i
最大值
2
)(1 +
δ
N
)
在哪里 p
P
和 p
N
是 这 容许的 电源 dissipations 和
d
P
和 d
N
是 这 温度 dependencies 的 r
ds(在)
.
P
P
和 p
N
将 是 决定 用 效率 和/或者 热的
(所需的)东西 (看 效率 仔细考虑). (1 + d) 是
一般地 给 为 一个 场效应晶体管 在 这 表格 的 一个 normalized
R
ds(在)
vs 温度 曲线, 但是 d = 0.007/
°
c 能 是
使用 作 一个 approximation 为 低 电压 mosfets.
这 肖特基 二极管 d1 显示 在 图示 1 仅有的 conducts
在 这 dead-时间 在 这 传导 的 这 二
电源 mosfets. d1’s sole 目的 在 生命 是 至 阻止 这
身体 二极管 的 这 n-频道 场效应晶体管 从 turning 在 和
storing 承担 在 这 dead 时间, 这个 可以 费用 作
更 作 1% 在 效率 (虽然 那里 是 非 其它
harmful 影响 如果 d1 是 omitted). 因此, d1 应当 是
选择 为 一个 向前 电压 的 较少 比 0.7v 当
组织 i
最大值
.
C
在
和 c
输出
选择
在 持续的 模式, 这 源 的 这 p-频道 场效应晶体管
是 一个 正方形的 波 的 职责 循环 v
输出
/v
在
. 至 阻止 大
电压 过往旅客, 一个 低 等效串联电阻 输入 电容 sized 为 这
最大 rms 电流 必须 是 使用. 这 最大
rms 电容 电流 是 给 用:
C
在
必需的 i
RMS
≈
I
最大值
[V
输出
(v
在
–
V
输出
)]
1/2
V
在
这个 formula 有 一个 最大 在 v
在
= 2v
输出
, 在哪里
I
RMS
= i
输出
/2. 这个 简单的 worst-情况 情况 是 com-
monly 使用 为 设计 因为 甚至 重大的 devia-
tions 做 不 提供 更 relief. 便条 那 电容
生产者’s 波纹 电流 比率 是 常常 为基础 在
仅有的 2000 小时 的 生命. 这个 制造 它 明智 至 更远
减额 这 电容, 或者 至 choose 一个 电容 评估 在 一个
高等级的 温度 比 必需的. 总是 咨询 这
生产者 如果 那里 是 任何 question. 一个 额外的 0.1
µ
F
至 1
µ
f 陶瓷的 电容 是 也 必需的 在 v
在
管脚 3 为
高 频率 解耦.
这 选择 的 c
输出
是 驱动 用 这 必需的 有效的
序列 阻抗 (等效串联电阻).
这 等效串联电阻 的 c
输出
必须 是 较少
比 两次 这 值 的 r
SENSE
为 恰当的 运作 的 这
ltc1148 序列:
C
输出
必需的 等效串联电阻 < 2r
SENSE
最佳的 效率 是 得到 用 制造 这 等效串联电阻 equal
至 r
SENSE
. 作 这 等效串联电阻 是 增加 向上 至 2r
SENSE
, 这
效率 degrades 用 较少 比 1%. 如果 这 等效串联电阻 是 更好
比 2r
SENSE
, 这 电压 波纹 在 这 输出 电容
将 prematurely 触发 burst 模式
运作, 结果 在
disruption 的 持续的 模式 和 一个 效率 hit 这个
能 是 一些 百分比.
manufacturers 此类 作 nichicon 和 联合的 chemicon
应当 是 考虑 为 高 效能 电容.
这 os-con 半导体 dielectric 电容 有
从 sanyo 有 这 最低 等效串联电阻/大小 比率 的 任何 铝
electrolytic 在 一个 somewhat 高等级的 价格. once 这 等效串联电阻
必要条件 为 c
输出
有 被 符合, 这 rms 电流
比率 一般地 far 超过 这 i
波纹(p-p)
必要条件.
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