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ltc1433/ltc1434
电的 特性
T
一个
= 25
°
c, v
在
= 10v, v
run/ss
= 5v, 除非 否则 指出.
这
●
denotes 规格 这个 应用 在 这 指定 温度
范围.
便条 1:
绝对 最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 这 生命
的 一个 设备 将 是 impaired.
便条 2:
c-等级 设备 规格 是 有保证的 在 这 0
°
c 至 70
°
C
温度 范围. 在 增加, c-等级 设备 规格 是 使确信
在 这 – 40
°
c 至 85
°
c 温度 范围 用 设计 或者 correlation, 但是
是 不 生产 测试.
便条 3:
i-等级 设备 规格 是 有保证的 在 这 – 40
°
c 至
85
°
c 温度 范围 用 设计, 测试 或者 correlation.
便条 4:
T
J
是 计算 从 这 包围的 温度 t
一个
和 电源
消耗 p
D
符合 至 这 下列的 formula:
ltc1433/ltc1434: t
J
= t
一个
+ (p
D
)(150
°
c/w)
便条 5:
这 ltc1433/ltc1434 是 测试 在 一个 反馈 循环 这个 servos
V
OSENSE
至 这 反馈 要点 为 这 错误 放大器 (v
ITH
= 1.19v).
便条 6:
动态 供应 电流 是 高等级的 预定的 至 这 门 承担 正在
delivered 在 这 切换 频率.
便条 7:
振荡器 频率 是 测试 用 测量 这 c
OSC
承担 和
释放 电流 和 应用 这 formula:
f
OSC
(khz) =
+
–1
8.4(10
8
)
C
OSC
(pf) + 11
()
1
I
CHG
()
1
I
DIS
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
PROG
V
PROG
输入 电流 0.5v > v
PROG
–4 –10
µ
一个
V
在
– 0.5v < v
PROG
< v
在
4 10
µ
一个
主要的 控制 循环
I
Q
输入 直流 供应 电流 (便条 6)
正常的 模式 3.6v < v
在
< 13v 470
µ
一个
关闭, 涉及 alive V
run/ss
= 0v, 3.6v < v
在
< 13v, lbi > 0.9v 35 70
µ
一个
完全 关闭 V
run/ss
= 0v, 3.6v < v
在
< 13v, lbi
≤
0.48v 15 30
µ
一个
V
run/ss
run/ss 门槛
●
0.8 1.3 2 V
I
run/ss
软 开始 电流 源 V
run/ss
= 0v 1.2 3 4.5
µ
一个
振荡器 和 阶段-锁 循环
f
OSC
振荡器 频率 C
OSC
= 100pf (便条 7) 112 125 142 kHz
V
CO
高 V
pll lpf
= 2.4v 200 240 kHz
R
PLLIN
pll 输入 阻抗 50 k
Ω
I
pll lpf
阶段 探测器 输出 电流
sinking 能力 f
PLLIN
< f
OSC
10 15 20
µ
一个
sourcing 能力 f
PLLIN
> f
OSC
10 15 20
µ
一个
电源-在 重置
V
SATPOR
por 饱和 电压 I
POR
= 1.6ma, v
OSENSE
= 1v, v
PROG
打开 0.6 1.0 V
I
LPOR
por 泄漏 V
POR
= 10v, v
OSENSE
= 1.2v, v
PROG
打开 0.2 1.0
µ
一个
V
TRPOR
por trip 电压 从 管制 V
PROG
管脚 打开, v
OSENSE
ramping 负的 –11 – 7.5 –4 %
输出
t
DPOR
por 延迟 V
PROG
管脚 打开 65536 循环
低-电池 比较器
V
SATLBO
lbo 饱和 电压 I
LBO
= 1.6ma, v
LBI
= 1.1v 0.6 1.0 V
I
LLBO
lbo 泄漏 V
LBO
= 10v, v
LBI
= 1.4v 0.01 1.0
µ
一个
V
TRLBI
lbi trip 电压 高 至 低 转变 在 lbo 1.16 1.19 1.22 V
V
HYSTLB
低-电池 比较器 hysteresis 40 mV
V
SDLB
低-电池 关闭 trip 要点 0.74 V
I
INLBI
lbi 输入 电流 V
LBI
= 1.19v 1 50 nA
p-频道 电源 fets 特性
R
SMFET
R
ds(在)
的 小 场效应晶体管 I
SSW
= 15ma 3.3 4.1
Ω
R
BIGFET
R
ds(在)
的 big 场效应晶体管 I
BSW
= 150ma 0.8 1.2
Ω
I
LSSW
小 场效应晶体管 泄漏 V
run/ss
= 0v
●
7 1000 nA
I
LBSW
big 场效应晶体管 泄漏 V
run/ss
= 0v
●
5 1000 nA
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