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ltc1735-1
APPLICATIO s i 为 ATIO
WUU
U
inductor 核心 选择
once 这 值 为 l 是 知道, 这 类型 的 inductor 必须 是
选择. 高 效率 转换器 一般地 不能 afford
这 核心 丧失 建立 在 低 费用 powdered iron cores,
forcing 这 使用 的 更多 expensive ferrite, molypermalloy,
或者 kool m
µ
®
cores. 真实的 核心 丧失 是 独立 的 核心
大小 为 一个 fixed inductor 值, 但是 它 是 非常 依赖 在
电感 选择. 作 电感 增加, 核心 losses
go 向下. unfortunately, 增加 电感 需要
更多 转变 的 线 和 因此 铜 losses 将 增加.
ferrite 设计 有 非常 低 核心 丧失 和 是 preferred
在 高 切换 发生率, 所以 设计 goals 能
concentrate 在 铜 丧失 和 阻止 饱和.
ferrite 核心 材料 saturates “hard,” 这个 意思 那
电感 collapses abruptly 当 这 顶峰 设计 电流
是 超过. 这个 结果 在 一个 abrupt 增加 在 inductor
波纹 电流 和 consequent 输出 电压 波纹. 做
不 准许 这 核心 至 saturate!
molypermalloy (从 磁性材料, inc.) 是 一个 非常 好的, 低
丧失 核心 材料 为 toroids, 但是 它 是 更多 expensive 比
ferrite. 一个 合理的 compromise 从 这 一样
生产者 是 kool m
µ
. toroids 是 非常 空间 效率高的,
特别 当 你 能 使用 一些 layers 的 线. 因为
它们 一般地 lack 一个 bobbin, 挂载 是 更多 difficult.
不管怎样, 设计 为 表面 挂载 是 有 那 做
不 增加 这 height significantly.
电源 场效应晶体管 和 d1 选择
二 外部 电源 mosfets 必须 是 选择 为 使用
和 这 ltc1735-1: 一个 n-频道 场效应晶体管 为 这 顶
(主要的) 转变, 和 一个 n-频道 场效应晶体管 为 这 bottom
(同步的) 转变.
这 顶峰-至-顶峰 门 驱动 水平 是 设置 用 这 intv
CC
电压. 这个 电压 是 典型地 5.2v 在 开始-向上 (看
EXTV
CC
管脚 连接). consequently, 逻辑-水平的
门槛 mosfets 必须 是 使用 在 大多数 ltc1735-1
产品. 这 仅有的 例外 是 当 低 输入 电压
是 预期的 (v
在
< 5v); 然后, sub-逻辑 水平的 门槛
mosfets (v
gs(th)
< 3v) 应当 是 使用. 支付 关闭
注意 至 这 bv
DSS
规格 为 这 mosfets 作
好; 大多数 的 这 逻辑 水平的 mosfets 是 限制 至 30v 或者
较少.
选择 criteria 为 这 电源 mosfets 包含 这 “on”
阻抗 r
ds(在)
, 反转 转移 电容 c
RSS
,
输入 电压 和 最大 输出 电流. 当 这
ltc1735-1 是 运行 在 持续的 模式 这 职责
循环 为 这 顶 和 bottom mosfets 是 给 用:
主要的 转变职责 循环
V
V
同步的 转变 职责 循环
VV
V
输出
在
在 输出
在
=
=
–
这 场效应晶体管 电源 dissipations 在 最大 输出
电流 是 给 用:
P
V
V
IR
kV I C f
P
VV
V
IR
主要的
输出
在
最大值 DS 在
在 最大值 RSS
同步
在 输出
在
最大值 DS 在
=
()
+
()
+
()( )( )()
=
()
+
()
2
2
2
1
1
δ
δ
()
()
–
在哪里
δ
是 这 温度 dependency 的 r
ds(在)
和 k
是 一个 常量 inversely related 至 这 门 驱动 电流.
两个都 mosfets 有 i
2
r losses 当 这 topside
n-频道 等式 包含 一个 额外的 期 为 transi-
tion losses, 这个 是 最高的 在 高 输入 电压. 为
V
在
< 20v 这 高 电流 效率 一般地 改进
和 大 mosfets, 当 为 v
在
> 20v 这 转变
losses 迅速 增加 至 这 要点 那 这 使用 的 一个 高等级的
R
ds(在)
设备 和 更小的 c
RSS
的确 提供 高等级的
效率. 这 同步的 场效应晶体管 losses 是 greatest
在 高 输入 电压 或者 在 一个 短的 电路 当 这 职责
循环 在 这个 转变 是 nearly 100%.
这 期 (1 +
δ
) 是 一般地 给 为 一个 场效应晶体管 在 这
表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs 温度 曲线, 但是
δ
= 0.005/
°
c 能 是 使用 作 一个 approximation 为 低
电压 mosfets. c
RSS
是 通常地 指定 在 这
场效应晶体管 特性. 这 常量 k = 1.7 能 是 使用
至 估计 这 contributions 的 这 二 条款 在 这 主要的
转变 消耗 等式.
这 肖特基 二极管 d1 显示 在 图示 1 conducts 在
这 dead-时间 在 这 传导 的 这 二 电源
mosfets. 这个 阻止 这 身体 二极管 的 这 bottom
kool m
µ
是 一个 注册 商标 的 磁性材料, 公司
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